エピタキシャル成長におけるナノ構造自己形成機構の解明と制御
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-14550302 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(C) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 香川大学 |
| 代表研究者 | 小柴 俊 |
| 研究分担者 | 中西 俊介 |
| 研究分担者 | 伊藤 寛 |
| 研究分担者 | 榊 裕之 |
| 研究期間 開始年月日 | 2002/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2003 |
| 研究ステータス | 完了 (2003/4/1) |
| 配分額（合計） | 3,700,000 (直接経費 :3,700,000) |
| 配分額（履歴） |
2003年度：700,000 (直接経費 :700,000) 2002年度：3,000,000 (直接経費 :3,000,000) |
| キーワード | 分子線エピタキシー ナノ構造 自己形成機構 微傾斜基板 偏光特性 デジタルアロイ 超格子 リッジ構造 ステップバンチング Molecular Beam Epitaxy Nano Structure Self Formation Mechanism Vicinal Surface Optical Property Super Lattice Ridge Quantum Wire |