InGaAs面発光量子細線レーザの開発
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-12355015 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(A) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 大阪大学 |
| 代表研究者 | 冷水 佐壽 |
| 研究分担者 | 石川 浩 |
| 研究分担者 | 北田 貴弘 |
| 研究分担者 | 下村 哲 |
| 研究分担者 | 大坪 孝二 |
| 研究期間 開始年月日 | 2000/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2002 |
| 研究ステータス | 完了 (2002/4/1) |
| 配分額（合計） | 41,680,000 (直接経費 :36,700,000、間接経費 :4,980,000) |
| 配分額（履歴） |
2002年度：6,110,000 (直接経費 :4,700,000、間接経費 :1,410,000) 2001年度：15,470,000 (直接経費 :11,900,000、間接経費 :3,570,000) 2000年度：20,100,000 (直接経費 :20,100,000) |
| キーワード | InGaAs 高指数面GaAs基板 自己形成型量子細線 MBE成長 面発光量子細線レーザ InGaAs High-index GaAs substrates Self-organized quantum wire MBE growth QWR-VCSELs |