π共役系配位子錯体の積層構造制御により構築される磁性導電体の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-11224201 |
|---|---|
| 研究種目 | 特定領域研究(B) |
| 研究分野 | |
| 研究機関 | 北海道大学 |
| 代表研究者 | 稲辺 保 |
| 研究分担者 | 中村 貴義 |
| 研究分担者 | 内藤 俊雄 |
| 研究期間 開始年月日 | 1999/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 2001 |
| 研究ステータス | 完了 (2001/4/1) |
| 配分額（合計） | 25,100,000 (直接経費 :25,100,000) |
| 配分額（履歴） |
2001年度：6,000,000 (直接経費 :6,000,000) 2000年度：11,100,000 (直接経費 :11,100,000) 1999年度：8,000,000 (直接経費 :8,000,000) |
| キーワード | フタロシアニン 巨大な負の磁気抵抗 部分酸化塩 電子スピン共鳴 強相関電子系 スピンラダー ドーピング 圧力依存性 局在スピン 一次元伝導体 電気伝導度 π-d系 Ni(dmit)_2 負の磁気抵抗 磁化率 |