(775)BGaAs基板上の超高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-09450130 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 大阪大学 |
| 代表研究者 | 冷水 佐壽 |
| 研究分担者 | 北田 貴弘 |
| 研究分担者 | 下村 哲 |
| 研究期間 開始年月日 | 1997/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1998 |
| 研究ステータス | 完了 (1998/4/1) |
| 配分額（合計） | 13,800,000 (直接経費 :13,800,000) |
| 配分額（履歴） |
1998年度：3,400,000 (直接経費 :3,400,000) 1997年度：10,400,000 (直接経費 :10,400,000) |
| キーワード | 自然形成型量子細線 GaAs量子細線 InGaAs量子細線 MBE成長 (775)B GaAs基板 (553)A GaAs基板 (221)A GaAs基板 self-organized quantum wire GaAs quantum wire InGaAs quantum wire MBE growth (775)B GaAs substrate (553)A GaAs substrate (221)A GaAs substrate |