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スパッタ膜作製における低エネルギーイオン照射による膜特性の制御に関する研究

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研究課題番号 KAKENHI-PROJECT-08650383
研究種目 基盤研究(C)
研究分野 工学
電気電子工学
電子・電気材料工学
研究機関 徳島大学
代表研究者 富永 喜久雄
研究分担者 英 崇夫
研究分担者 中林 一郎
研究期間 開始年月日 1996/4/1
研究期間 終了年度 1997
研究ステータス 完了 (1997/4/1)
配分額(合計) 2,400,000 (直接経費 :2,400,000)
配分額(履歴) 1997年度:600,000 (直接経費 :600,000)
1996年度:1,800,000 (直接経費 :1,800,000)
キーワード スパッタリング
窒化物薄膜
酸化物薄膜
AlN
ZnO
ITO
透明導電膜
酸化亜鉛
窒化アルミニウム
Sputtering
nitride film
oxide film
AlN
ZnO
ITO
transparent conductive film