GaN系混晶の物性評価と青色半導体レーザーの研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-07455009 |
|---|---|
| 研究種目 | 基盤研究(B) |
| 研究分野 | 工学 応用物理学・工学基礎 応用物性・結晶工学 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 酒井 士郎 |
| 研究期間 開始年月日 | 1995/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1996 |
| 研究ステータス | 完了 (1996/4/1) |
| 配分額（合計） | 5,300,000 (直接経費 :5,300,000) |
| 配分額（履歴） |
1996年度：1,900,000 (直接経費 :1,900,000) 1995年度：3,400,000 (直接経費 :3,400,000) |
| キーワード | GaN InGaN バルクGaN ホモエピタキシャル成長 昇華法 GaPN 半導体レーザ ワイドギャップ半導体 半金属 秩序混晶 青色発光素子 窒化物半導体 混晶 GaN InGaN Bulk GaN Homoepitaxy Sublimation GaPN Semiconductor lasers |