(411)A超平坦半導体へテロ界面の研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-06402040 |
|---|---|
| 研究種目 | 一般研究(A) |
| 研究分野 | 工学 電気電子工学 電子・電気材料工学 |
| 研究機関 | 大阪大学 |
| 代表研究者 | 冷水 佐壽 |
| 研究分担者 | 佐野 直克 |
| 研究分担者 | 劉 翊 |
| 研究分担者 | 下村 哲 |
| 研究期間 開始年月日 | 1994/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1995 |
| 研究ステータス | 完了 (1995/4/1) |
| 配分額（合計） | 28,400,000 (直接経費 :28,400,000) |
| 配分額（履歴） |
1995年度：9,600,000 (直接経費 :9,600,000) 1994年度：18,800,000 (直接経費 :18,800,000) |
| キーワード | (411)A GaAs AlGaAs量子井戸 AlAs共鳴トンネルダイオード InGaAs InAlAs量子井戸 ストークシフト 励起子による吸収半値幅 負性微分抵抗特性 AlGaAs 量子井戸 AlAs 共鳴トンネルダイオード lnGaAs lnAlAs 量子井戸 ストークスシフト AlGaAsヘテロ界面 AlGaAs共鳴トンネルダイオード 411 (A) GaAs AlGaAd quantum wells AlAs resonant tunneling diodes InGaAs AlGaAs quantum wells InAlAs quantum wells Stokes shift Full-width at half maximum of excitonic absorption Negative differential resistance |