シリコン上ガリウム砒素中の熱歪緩和法及び転位に関する研究
KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る| 研究課題番号 | KAKENHI-PROJECT-03650018 |
|---|---|
| 研究種目 | 一般研究(C) |
| 研究分野 | 工学 応用物理学 応用物性 |
| 研究機関 | 徳島大学 |
| 代表研究者 | 酒井 士郎 |
| 研究期間 開始年月日 | 1991/4/1 |
| 研究期間 終了年度 | 1992 |
| 研究ステータス | 完了 (1992/4/1) |
| 配分額（合計） | 2,100,000 (直接経費 :2,100,000) |
| 配分額（履歴） |
1992年度：400,000 (直接経費 :400,000) 1991年度：1,700,000 (直接経費 :1,700,000) |
| キーワード | シリコン上ガリウムヒソ 熱歪 発光ダイオード 光集積回路 劣化 転位 発光ダイオ-ド 寿命 CaAs on Si GaAs on Si Thermal stress Light emitting diodes Opto-electronic IC Degradation dislocation |