トップ研究者を探す再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用

再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用

KAKEN 科学研究費助成事業データベース で見る
研究課題番号 KAKENHI-PLANNED-18069008
研究種目 特定領域研究
研究分野
研究機関 大阪大学
代表研究者 近藤 正彦
研究分担者 藤原 康文
研究分担者 森 伸也
研究分担者 百瀬 英毅
研究分担者 石川 史太朗
研究分担者 森藤 正人
研究期間 開始年月日 2006/4/1
研究期間 終了年度 2010
研究ステータス 完了 (2010/4/1)
配分額(合計) 70,300,000 (直接経費 :70,300,000)
配分額(履歴) 2010年度:5,100,000 (直接経費 :5,100,000、間接経費 :0)
2009年度:6,400,000 (直接経費 :6,400,000)
2008年度:8,600,000 (直接経費 :8,600,000)
2007年度:26,200,000 (直接経費 :26,200,000)
2006年度:24,000,000 (直接経費 :24,000,000)
キーワード GaInNAs
半導体レーザ
分子線エピタキシー
フォトルミネッセンス高品質化
Al混入
フォトルミネッセンス
高品質化
Al
フォトニック結晶
誘導放出
AlAs
散乱
活性窒素
GaInNAS
AlAS
結晶性
フオトルミネッセンス
新半導体材料
窒素
分子線ビームエピタキシー
ビューポート

研究成果

[学会発表] 窒素原子層を用いたIII-V族半導体量子構造

石川史太郎, 森藤正人, 古瀬慎一朗, 角谷健吾, 近藤正彦 2011

[学会発表] GaInNAs利得媒質とAlOxスラブを有するフォトニック結晶微小共振器構造の作製と評価

久木田健太郎, 永友大士, 後藤洋昭, 中尾亮, 中野勝成, 植田慎二, 石川史太郎, 百瀬英毅, 近藤正彦 2011

[雑誌論文] Direct observation of N-(group V) bonding defects in dilute nitride semiconductors using hard x-ray photoelectron spectroscopy

F.Ishikawa, S.Fuyuno, K.Higashi, M.Kondow, M.Machida, H.Oji, J.-Y.Son, A.Trampert, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara 2011

[学会発表] GaInNAsのフォトニック結晶微小共振器レーザ向け利得媒質応用

永友大士, 久木田健太郎, 後藤洋昭, 中尾亮, 中野勝成, 石川史太郎, 近藤正彦 2011

[学会発表] Ga(In)NAs系における発光ピークの温度変化の起源-その2

江村修一, 石川史太郎, 近藤正彦, 朝日一 2011

[学会発表] GaInNAs量子井戸における微細加工発光デバイス応用有効性の検討

後藤洋昭, 中本弘毅, 石川史太郎, 近藤正彦 2010

[学会発表] Dry Etching of Al-rich AlxGa1-xAs Holes with High Aspect Ratio for Photonic Crystal Fabrication

M.Mochizuki, T.Nakajima, D.Satoi, F.Ishikawa, M.Kondow, M.Hara, H.Aoki 2010

[学会発表] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs : Positron Annihilation and Its Comparative Study with Photoluminescence Spectroscopy

H.Nakamoto, F.Ishikawa, M.Kondow, Y.Oshima, A.Yabuchi, M.Mizuno, H.Araki,Y.Shirai 2010

[学会発表] AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素単原子層導入がバンド構造に与える影響

古瀬慎一朗, 中本弘毅, 石川史太郎, 近藤正彦 2010

[雑誌論文] Infrared Absorption Spectrum of InNP

M.Kondow, F.Ishikawa, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara 2010

[学会発表] GaAs系2次元フォトニック結晶共振器における発光特性の欠陥構造依存性

中野勝成, 石川史太郎, 森藤正人, 近藤正彦 2010

[学会発表] Direct band engineering with sub-monolayer nitride into III-V quantum system

F.Ishikawa, M.Morifuji, S.Furuse, K.Nagahara, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow 2010

[学会発表] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs : Positron Annihilation and Its Comparative Study with Photolu minescence Spectroscopy

H.Nakamoto, F.Ishikawa, M.Kondow, Y.Oshima, A.Yabuchi, M.Mizuno, H.Araki, Y.Shirai 2010

[学会発表] 窒素原子層を用いたIII-V族半導体量子構造のバンドエンジニアリング

石川史太郎, 森藤正人, 長原健一, 近藤正彦 2010

[雑誌論文] Infrared Absorption Spectrum of InNP

M.Kondow, F.Ishikawa, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara 2010

[学会発表] 高Al組成AlGaAsの水蒸気酸化によって作製したAlOxの分光エリプソメトリー評価

平井裕一郎, 山田高寛, 石川史太郎, 近藤正彦 2010

[学会発表] ドライエッチングがGaAs系半導体素子構造諸特性に与える影響

渡辺章王, 石川史太郎, 近藤正彦 2010

[学会発表] Temperature dependence of photoluminescence peak energy in Ga(In)NAs

S.Emura, H.Nakamoto, F.Ishikawa, M.Kondow, H.Asahi 2010

[学会発表] Direct band engineering with sub-monolayer nitride into III-V quantum system

F.Ishikawa, M.Morifuji, S.Furuse, K.Nagahara, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow 2010

[学会発表] Ga(In)NAs系における発光ピークの温度変化の起源

江村修一, 中本弘毅, 石川史太郎, 近藤正彦, 朝日一 2010

[学会発表] Dry Etching of Al-rich Al_xGa_<1-x>As Holes with High Aspect Ratio for Photonic Crystal Fabrication

M.Mochizuki, T.Nakajima, D.Satoi, F.Ishikawa, M.Kondow, M.Hara, H.Aoki 2010

[雑誌論文] Effect of Plasma Conditions on the Growth of GaNAs by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

M.Uchiyama, F.Ishikawa, M.Kondow 2009

[雑誌論文] Unintentional Aluminum Incorporation Related to the Introduction of Nitrogen Gas During the Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

F.Ishikawa, S.D.Wu, M.Kato, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow 2009

[学会発表] Growth and Luminescence Characterization of Dilute InPN alloys Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

K.Umeno, Y.Furukawa, N.Urakami, S.Mitsuyoshi, F.Ishikawa, H.Yonezu, A.Wakahara, M.Kondow 2009

[雑誌論文] Unintentional source incorporation in plasma-assisted molecular beam epitaxy

F.Ishikawa, S.D.Wu, M.Kato, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow 2009

[雑誌論文] Unintentional source incorporation in plasma-assisted molecular beam epitaxy

F.Ishikawa, S.Wu, M.Kato, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow 2009

[学会発表] Unintentional incorporation of Al during the plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of dilute nitride semiconductors on AlAs

石川史太郎、Wu ShuDong、加藤正和、内山正之、東晃太朗、近藤正彦 2008

[雑誌論文] Experimental study on hydrostatic and shear deformation potential in GaInNAs alloys using piezoelectric photothermal spectroscopy

碇哲雄、福嶋晋一、大田豊、福山敦彦、Wu ShuDoung、石川史太郎、近藤正彦 2008

[雑誌論文] Nitrogen Gas Flow Driven Unintentional Incorporation of Al during the Growth of Dilute Nitride Semiconductor by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

S. D., Wu・M., Kato・M., Uchiyama・K., Higashi・F., Ishikawa・M., Kondow 2008

[学会発表] Unintentional incorporation of Al during the plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of dilute nitride semiconductors on AlAs

F. Ishikawa, S.D. Wu, M. Kato, M. Uchiyama, K. Higashi and M. Kondow 2008

[学会発表] Selective oxidation of AlGaAs for a next-generation laser made of photonic crystal

H. Momose, T. Kawano, F. Ishikawa, M. Morifuji, and M. Kondow 2008

[学会発表] Passivation of the Impact of Aluminum for the Growth of High Optical Quality GaInNAs by Molecular Beam Epitaxy

S.D, Wu・M, Kato・M, Uchiyama・K, Higashi・F, Ishikawa・M, Kondow 2007

[雑誌論文] Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well

Fumitaro Ishikawa, Masato Morifuji, Kenichi Nagahara, Masayuki Uchiyama, Kotaro Higashi, Masahiko Kondow

[雑誌論文] Experimental study on hydrostatic and shear deformation potential in GaInNAs alloys using piezoelectric photothermal spectroscopy

T., Ikari・S., Fukushima・Y., Ohta・A., Fukuyama・S. D., Wu・F., Ishikawa・M., Kondow

[雑誌論文] Unintentional Aluminum incorporation related to the introduction of Nitrogen gas during the plasma-assisted molecular beam epitaxy

F. Ishikawa, S.D. Vu, M. Kato, M. Uchiyama, K. Higashi and M. Kondow

[雑誌論文] Effect of the unintientional incorporation of Al during the molecular beam epitaxial growth of GaInNAs quantum well

S. D., Wu・M., Kato・M., Uchiyama・K., Higashi・F., Ishikawa・M., Kondow

[雑誌論文] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs : Positron Annihilation and Photoluminescence Spectroscopy Study

Hiroki Nakamoto, Fumitaro Ishikawa, Masahiko Kondow, Yushi Ohshima, Atsushi Yabuuchi, Masataka Mizuno, Hideki Araki, Yasuharu Shirai

[雑誌論文] Dry Etching of Al-rich AlGaAs for Photonic Crystal Fabrication

Masaya Mochizuki, Yuta Kitabayashi, Tomoya Nakajima, Daiki Satoi, Fumitaro Ishikawa, Masahiko Kondow, Makoto Hara, Chiharu Kimura, Hidemitsu Aoki, Takashi Sugino