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垣内 拓大
愛媛大学
2024年12月20日更新
- 職名
- 講師
- 電話
- 研究者総覧に該当データはありませんでした。
- 電子メール
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- 学歴
- 2000/04-2004/03 愛媛大学
2004/04-2006/03 愛媛大学大学院
2006/04-2008/03 総合研究大学院大学（総研大）
2004 愛媛大学
2008 総合研究大学院大学 - 学位
- 博士 理学 総合研究大学院大学
- 職歴・経歴
- 2008/04-現在 愛媛大学大学院 理工学研究科環境機能科学専攻 助教（特任講師）
2017/08-2018/08 Helmholtz Zentrum Berlin Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research Guest Resecher
- 専門分野・研究分野
- 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
2024年12月20日更新
- 専門分野・研究分野
- 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光 - 担当経験のある授業科目
- 化学実験Ⅰ
機器分析Ⅳ
化学実験Ⅱ
化学実験Ⅴ
量子化学特論B
卒業研究Ⅰ
卒業研究Ⅱ
課題研究
量子化学Ⅰ
科学研究倫理
特別演習Ⅰ
特別演習Ⅱ
特別研究Ⅰ
特別研究Ⅱ
量子化学特論
化学ゼミナールⅠ
化学ゼミナールⅢ
分子科学課題演習I
量子化学Ⅱ
化学ゼミナール
化学ゼミナールⅡ
化学ゼミナールⅣ
分子科学課題演習Ⅱ - 指導経験
- 2024,第１クォーター,理学部,化学実験Ⅰ
2024,第１クォーター,理学部,機器分析Ⅳ
2024,第１クォーター,理学部,化学実験Ⅱ
2024,第１クォーター,理学部,化学実験Ⅴ
2024,第２クォーター,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,量子化学特論B
2024,第４クォーター,理学部,化学実験Ⅱ
2024,第４クォーター,理学部,化学実験Ⅴ
2024,前期,理学部,卒業研究Ⅰ
2024,前期,理学部,卒業研究Ⅱ
2024,前期,理学部,課題研究
2024,前期,理学部,量子化学Ⅰ
2024,前期,理学部,科学研究倫理
2024,前期,理学部,特別演習Ⅰ
2024,前期,理学部,特別演習Ⅱ
2024,前期,理学部,特別研究Ⅰ
2024,前期,理学部,特別研究Ⅱ
2024,前期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,量子化学特論
2024,前期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,化学ゼミナールⅠ
2024,前期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,化学ゼミナールⅢ
2024,前期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,分子科学課題演習I
2024,後期,理学部,卒業研究Ⅰ
2024,後期,理学部,卒業研究Ⅱ
2024,後期,理学部,量子化学Ⅱ
2024,後期,理学部,化学ゼミナール
2024,後期,理学部,科学研究倫理
2024,後期,理学部,特別演習Ⅰ
2024,後期,理学部,特別演習Ⅱ
2024,後期,理学部,課題研究
2024,後期,理学部,特別研究Ⅰ
2024,後期,理学部,特別研究Ⅱ
2024,後期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,化学ゼミナールⅡ
2024,後期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,化学ゼミナールⅣ
2024,後期,理工学研究科（博士前期課程2006〜）,分子科学課題演習Ⅱ
2024年12月20日更新
- 専門分野・研究分野
- 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光
- 研究テーマ
- 表面界面
表面物性
半導体
量子化学
表面科学
コインシデンス分光
X線光電子分光法
オージェ電子分光法
構造化学
- 著書
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- 論文
- Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on an Si(111) Substrate Takuhiro Kakiuchi, Tomoki Matoba, Daisuke Koyama, Yuki Yamamoto, Akitaka Yoshigoe 2022/02/16 Langmuir 38/ 8, 2642-2650 研究論文（学術雑誌）
- MISC
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- 総説・解説
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- 講演・発表
- ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構 ～Hfの蒸着量に依存した表面界面酸化状態の違い～ 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023/09/22 口頭発表（一般）
超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応 第16回分子科学討論会 2022横浜 2022/09/19 ポスター発表
- 研究会・報告書
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- 特許
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- 作品
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- 補助金・競争的資金
- 研究寄付金 寄付金（構造化学への研究助成） 固体表面と入射分子ビームとの表面反応機構の解明 2022/08-2023/03 その他
金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御 基盤研究(C) 2021/04-2024/03 競争的資金
- その他
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2024年12月20日更新
- 専門分野・研究分野
- 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 表面・界面
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 高誘電体材料
ナノテク・材料 / 基礎物理化学
エネルギー / 量子ビーム科学 / シンクロトロン放射光 - 所属学会・所属協会
- 日本応用物理学会
分子科学会
日本表面真空学会
日本物理学会
日本化学会 - 委員歴・役員歴
- 2015/04-2023/03/31 愛媛大学理学同窓会 幹事
- 受賞
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- 活動
- 2023/11/11-2023/11/11 高校生おもしろ科学コンテスト出題委員 毎年開催されているこのイベントの作問・監督・講評を行った。
2023/08/07-2023/09/24 大学コンソーシアムえひめ インターンシップ 大学コンソーシアムえひめインターンシップ事業を支援した。
2022/08/09-2022/08/09 夢化学２１ 高校生に対して大学での講義体験、および体験実験（2テーマ）を準備した。
2024年12月22日更新
2024年12月21日更新
Ｊグローバル
- Jグローバル最終確認日
- 2024/12/21 01:43
- 氏名（漢字）
- 垣内 拓大
- 氏名（フリガナ）
- カキウチ タクヒロ
- 氏名（英字）
- Kakiuchi Takuhiro
- 所属機関
- 愛媛大学 特任准教授/講師
リサーチマップ
- researchmap最終確認日
- 2024/12/22 02:29
- 氏名（漢字）
- 垣内 拓大
- 氏名（フリガナ）
- カキウチ タクヒロ
- 氏名（英字）
- Kakiuchi Takuhiro
- プロフィール
- リサーチマップAPIで取得できませんでした。
- 登録日時
- 2011/8/16 00:00
- 更新日時
- 2024/9/18 12:27
- アバター画像URI
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- ハンドル
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- eメール
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- eメール（その他）
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- 携帯メール
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- 性別
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- 没年月日
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- 所属ID
- 0352021000
- 所属
- 愛媛大学
- 部署
- 大学院理工学研究科
- 職名
- 特任准教授/講師
- 学位
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- 学位授与機関
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- URL
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- 科研費研究者番号
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- Google Analytics ID
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- ORCID ID
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- その他の所属ID
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- その他の所属名
- リサーチマップAPIで取得できませんでした。
- その他の所属 部署
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- その他の所属 職名
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- 最近のエントリー
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- Read会員ID
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- 経歴
- 受賞
- Misc
- 論文
- 講演・口頭発表等
- 書籍等出版物
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- 研究キーワード
- 研究分野
- 所属学協会
- 担当経験のある科目
- その他
- Works
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- 特許
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- 学歴
- 委員歴
- 社会貢献活動
2024年12月21日更新
- 研究者番号
- 00508757
- 所属（現在）
- 2024/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 准教授
- 所属（過去の研究課題
情報に基づく）*注記 - 2022/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師(特任准教授)
2021/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師
2017/4/1 – 2019/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科(理学系), 講師
2015/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科, 講師
2014/4/1 : 愛媛大学, 大学院理工学研究科, 助教
2011/4/1 – 2014/4/1 : 愛媛大学, 理工学研究科, 助教
2012/4/1 : 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 助教
- 審査区分/研究分野
-
研究代表者
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性
理工系 / 数物系科学 / 物理学 / 物性Ⅰ
理工系 / 化学 / 材料化学 / デバイス関連化学
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連研究代表者以外
理工系 / 工学 / 応用物理学・工学基礎 / 薄膜・表面界面物性
- キーワード
-
研究代表者
シリコン / 表面界面 / 局所価電子状態 / オージェ電子-光電子コインシデンス分光 / 高誘電体超薄膜 / シリコン半導体 / ハフニウム / 高誘電体材料 / コインシデンス分光 / 水素 / 省エネルギー / 微細加工 / Si(110) / coincidence spectroscopy / HfO2 / Auger electron / photoelectron / 薄膜 / 表面物性 / 界面物性 / 光電子分光 / 半導体 / 高誘電体 / MOS-FET / シングルドメイン / 超薄膜 / 表面界面物性 / 酸化ハフニウム / 光電子分光法 / 金属半導体ヘテロ界面 / Si半導体 / コインシデンス分光法 / シンクロトロン放射光 / 酸化反応ダイナミクス / 表面界面反応 / 表面化学反応 / 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ / 二酸化ハフニウム / 表面界面反応追跡 / 時間分解光電子分光法 / ハフニウムシリサイド / 酸化ダイナミクス / 酸化ハフニウム超薄膜 / 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法 / オージェ電子分光法 / マイクロ・ナノデバイス / 高誘電率材料 / 量子閉じ込め / 高誘電率ゲート絶縁膜材料 / X線光電子分光法 / 分子ビーム / ヘテロ界面 / 酸化反応 / 表面界面酸化反応 / 放射光軟X線光電子分光 / 金属薄膜酸化
研究代表者以外
表面 / 局所電子状態 / 電子励起ダイナミクス / 光電子分光 / オージェ電子分光 / コインシデンス分光 / 半導体 / 吸着分子 / 半導体表面 / 電子励起誘起イオン脱離
研究課題
研究成果
共同研究者
注目研究はありません。