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日下一也

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2024年12月20日更新

職名: 講師
電話: 088-656-9442
電子メール: kusaka@tokushima-u.ac.jp
学歴: 1988/3: 清風学園清風高等学校卒業
1988/4: 徳島大学工学部機械工学科入学
1992/3: 徳島大学工学部機械工学科卒業
1992/4: 徳島大学大学院工学研究科機械工学専攻入学
1994/3: 徳島大学大学院工学研究科機械工学専攻修了
1994/4: 徳島大学大学院工学研究科生産開発工学専攻入学
1995/3: 徳島大学大学院工学研究科博士課程生産開発工学専攻退学
学位: 博士(工学) (徳島大学) (2009年11月)
職歴・経歴: 1995/4: 徳島大学工学部機械工学科助手

専門分野・研究分野: X線応力測定 (X-ray Stress Measurement)

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2024年12月20日更新

専門分野・研究分野: X線応力測定 (X-ray Stress Measurement)
担当経験のある授業科目: ものづくり基礎 (共通教育)
イノベーション・プロジェクト入門 (共通教育)
イノベーション・プロジェクト実践 (共通教育)
オリエンテーション3年 (学部)
プロジェクトマネジメント基礎 (学部)
技術英語基礎2 (学部)
機械計測1 (学部)
機械設計1 (学部)
非破壊計測学 (大学院)
指導経験: 17人 (学士), 11人 (修士)

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2024年12月20日更新

専門分野・研究分野: X線応力測定 (X-ray Stress Measurement)

研究テーマ: X線回折を用いた窒化物半導体薄膜の残留応力測定 (残留応力 (residual stress), X線回折 (X-ray diffraction), スパッタリング (sputtering), 窒化物半導体膜 (nitride semiconductor films)) (高い音響速度と圧電特性に優れるため弾性表面波素子や高周波フィルターへの適用が期待されるAlN
青色発光ダイオードで知られるGaNなどのIII-V族半導体薄膜をスパッタリング法により廉価なガラス基板上へ堆積させる．得られた膜の特性評価として主にX線回折を用いて非破壊的に残留応力を調べている．そして
残留応力の発生機構を解明し
良質な膜を得るための最適な堆積条件を見つけることを目標としている．)

著書

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論文

Kazuya Kusaka, Kenta Shirasaka, Daisuke Yonekura and Yuta Tanaka :
Residual stress measurement of {112}-oriented CrN layers in CrN/Cr multilayer films,
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Nanotechnology & Microelectronics : Materials, Processing, Measurement, & Phenomena : JVST B, Vol.37, 062919-1-062919-6, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 114030
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.5118682
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1116/1.5118682

(徳島大学機関リポジトリ: 114030, DOI: 10.1116/1.5118682) Kazuya Kusaka, Kenta Shirasaka, Daisuke Yonekura and Yuta Tanaka :
Measurement of the residual stress in chromium nitride coatings deposited on an aluminum alloy substrate using arc ion plating method,
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Nanotechnology & Microelectronics : Materials, Processing, Measurement, & Phenomena : JVST B, Vol.37, 062916-1-062916-5, 2019.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 114029
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.5118702
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1116/1.5118702

(徳島大学機関リポジトリ: 114029, DOI: 10.1116/1.5118702) Kazuya Kusaka, Yutaka Maruoka and Tatsuya Matsue :
Residual stress and bending strength of ZnO films deposited on polyimide sheet by RF sputtering system,
Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.34, No.3, 031507-1-031507-4, 2016.

(キーワード): Zinc oxide films / Sputter deposition / Bending
(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 118081
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.4944610
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1116/1.4944610

(徳島大学機関リポジトリ: 118081, DOI: 10.1116/1.4944610) Ming Cai, Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Kazuya Kusaka, Masahiro Katoh and Yan Li :
Influence of alkali concentration on morphology and tensile properties of abaca fibers,
Advanced Materials Research, Vol.1110, 302-305, 2015.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.1110.302
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.1110.302

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.1110.302) 日下一也, 山田祐馬 :
結晶粒径の異なる銅薄膜のヒロック形成温度と初期残留応力の関係,
材料, Vol.62, No.7, 457-463, 2013年.

(要約): We deposited copper films which have a different grain size on the silicon single crystal wafer with dc magnetron sputtering. The crystal grain size of the copper films was varied by changing the substrate temperature Ts, which is one of the sputtering deposition conditions, between 64°C and 200°C. The obtained copper films were set on an optical microscope equipped with a vacuum heating device. The films surface were observed with the microscope throughout the thermal cycling between room temperature to 800°C. Next, we examined the temperature which hillocks begin to form. As a result, we confirmed the clear relationship between the temperature which the hillocks begin to form and the initial grain size of the copper film. In the case of low substrate temperature of Ts = 64°C, the initial grain size of copper film was very small, and many hillocks were formed at low heating temperature of 300°C. On the other hand, in the case of high substrate temperature of Ts = 200°C, the initial grain size of copper film was large, and hillocks were not formed below heating temperature of 800°C.
(キーワード): Copper film / Hillock formation / In-situ observation / Residual stress / Thermal stress
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.62.457
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282680421464576; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2472/jsms.62.457

(DOI: 10.2472/jsms.62.457, CiNii: 1390282680421464576) Manabu Yasuoka, Pangpang Wang, Kaiyue Zhang, Zhiyong Qiu, Kazuya Kusaka, Young-Shik Pyoun and Ri-ichi Murakami :
Improvement of the fatigue strength of SUS304 austenite stainless steel using ultrasonic nanocrystal surface modification,
Surface & Coatings Technology, Vol.218, 93-98, 2013.

(要約): An ultrasonic nanocrystal surfacemodi cation (UNSM) treatmentwas applied to improve the fatigue strength of typical SUS304 austenite stainless steel. A gradient nanocrystalline plastic deformation layer with increased hardness was created at the specimen surface after UNSM treatment. The average grain size at the top surface was re ned to a few nanometers, and the whole thickness of the plastic deformation layer was ~30 to 200 μm, depending on the various treatment conditions. The hardened surface layer was assumed to be the main reason for the improvement in the fatigue strength. The increase in the fatigue strengthwas related to theUNSMapplied static loads. In this work, it was found that a static load of 90 N was optimum to obtain a large cycle fatigue strength limit. Plastic deformation (strain)-induced martensitic transformations were also observed in the surface layer. The mechanism for further grain re nement based on martensitic transformations is discussed.
(キーワード): Ultrasonic nanocrystal surface modi cation / Surface mechanical attrition treatment / Martensitic transformation / Grain re nement
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.surfcoat.2012.12.033
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84878832113

(DOI: 10.1016/j.surfcoat.2012.12.033, Elsevier: Scopus) Mitsuhiko Shinohara, Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
Residual Stress Development in Cu Thin Films with and without AlN Passivation by Cyclic Plane Bending,
International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15,16, 2530-2536, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1142/S0217979210065210
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1142/S0217979210065210

(DOI: 10.1142/S0217979210065210) Ayumi Shiro, Takao Hanabusa, Tatsuya Okada, Masayuki Nishida, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Measurement of Micro Residual Stresses near the Grain Boundary in Copper Bicrystal,
Advanced Materials Research, Vol.89-91, 515-520, 2010.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.89-91.515) Kikuo Tominaga, Kenji Okada, Yoshinori Miyamoto, Shinya Ohkura, Kazuya Kusaka, Kentaro Shiraishi, Takahiro Ueno and Takao Hanabusa :
Deposition of photocatalytic TiO2 films by planar magnetron sputtering system with opposed Ti targets,
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.7, 290-293, 2009.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1380/ejssnt.2009.290
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-68249117960

(DOI: 10.1380/ejssnt.2009.290, Elsevier: Scopus) Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Shoso Shingubara, Tatsuya Matsue and Osami Sakata :
Measurement of electromigration-induced stress in aluminum alloy interconnection,
Vacuum, Vol.83, No.3, 637-640, 2009.

(キーワード): Aluminum alloy interconnection / Electromigration / Stress / Synchrotron radiation / Current density
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2008.04.041
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2008.04.041

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2008.04.041) Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Effect of heating on the residual stresses in TiN films investigated using synchrotron radiation,
Vacuum, Vol.83, No.3, 585-588, 2009.

(キーワード): TiN film / Arc ion plating / Residual stress / Surface morphology / Synchrotron radiation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2008.04.068
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2008.04.068

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2008.04.068) 日下一也, 英崇夫, 金子健太, 松英達也, 坂田修身 :
放射光を用いた窒化アルミニウム-銅積層膜の熱応力その場測定,
日本機械学会論文集(A編), Vol.74, No.739, 363-369, 2008年.

(要約): The Specimen prepared in this study was multi-later aluminum nitride and copper films deposited on thermal oxidation silicon by dc sputtering. Thermal stresses in the copper layers were investigated by ultra high X-rays of synchrotron radiation in the heating and cooling process. It found from the sin^2 φ diagrams of the multi-layered film that the copper layers consisted of crystal grains which had two different orientations. One was randomly orientation, and the other was {111} orientation. The FWHM of the diffraction from the {111}-oriented crystal grains was constant regardless of heating temperature. On the other hand, the FWHM of the diffraction from the randomly-oriented crystal grains was decreased with increasing heating temperature at 1st heating cycle and it became constant regardless of heating temperature after the 1st heating cycle. The 2ϑ-sin^2 φ diagrams of the multi-layered film for the stress measurement showed non-linear. We could obtain thermal stresses in two different orientation crystal grains from the non-linear 2ϑ-sin^2 φ diagram at the same time. For both crystal grains, the thermal stress differences between the 1st heating and the 1st cooling cycles were shown as a hysteresis loop. In the case of the 2nd thermal cycles, the thermal stresses changed linearly for both crystal grains. For the 1st heating cycle, the compressive thermal stress in the {111}-oriented crystal grains was larger than that in the randomly-oriented one.
(キーワード): Thermal Stress / In-situ Measurement / Multi-layer Film / Cu Thin Film / Synchrotron Radiation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1299/kikaia.74.363
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204479313408; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-44949216727

(DOI: 10.1299/kikaia.74.363, CiNii: 1390001204479313408, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kenta Kaneko, Osami Sakata and Masayuki Nishida :
Stress-assisted atomic migration in thin copper films,
Key Engineering Materials, Vol.353-358, 671-674, 2007.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/KEM.353-358.671
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-36048980701

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.353-358.671, Elsevier: Scopus) Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasukazu Ikeuchi, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Alteration of internal stresses in SiO₂/Cu/TiN thin films by X-ray and synchrotron radiation due to heat treatment,
Vacuum, Vol.80, No.7, 836-839, 2006.

(キーワード): Multi layers film / 残留応力 (residual stress) / 結晶構造 (crystal structure) / Surface morphology / X線回折 (X-ray diffraction) / シンクロトロン放射光 (synchrotron radiation)
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2005.11.033
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-33646553916

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2005.11.033, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
Thermal stress behavior in nano-size thin aluminum films,
International Journal of Modern Physics B, Vol.20, No.25n27, 4691-4696, 2006.

(キーワード): Thin film / Nano-size / Thermal stress / Synchrotron radiation / in-situ observation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1142/S0217979206041902
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-33751296553

(DOI: 10.1142/S0217979206041902, Elsevier: Scopus) 日下一也, 田中剛, 英崇夫 :
レーザピーニング処理したアルミニウム合金の残留応力のレーザパワー密度および走査速度依存性,
材料, Vol.54, No.7, 672-678, 2005年.

(要約): Laser peening has recently been developed as a surface modification technique. When a high-energy laser pulse irradiates a material surface submerged in water, high-pressure plasma is generated immediately on the surface. The plasma induces an impulse wave that penetrates into the surface layer. In the present study, a laser beam of diameter about 10mm is converged by the converging lens with focal length of 250mm, and irradiates the aluminum surface. The second harmonic generation of Yttrium-Aluminum-Garnet (YAG) laser was used at a pulse frequency of 10 Hz. The effect of laser power density and scanning speed on residual stress in the laser peened aluminum alloy surface was investigated by X-ray diffraction. The following results were obtained : (1) compressive residual stress was induced in the surface of all samples ; (2) many fused traces and many micro-cracks were formed in laser peened aluminum surface ; (3) for the series of experiments with the fixed scanning speed of 2.0mm/s, the maximum compressive residual stress was induced at the laser power density of 31MW/mm^2; and (4) for the fixed laser power density of 61 MW/mm^2, that was induced at scanning speed of 1.0mm/s.
(キーワード): レーザピーニング / 表面改質 / パルスレーザ / 残留応力 / X線回折 / レーザパワー密度 / 走査速度
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.54.672
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001205418449792; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.2472/jsms.54.672

(DOI: 10.2472/jsms.54.672, CiNii: 1390001205418449792) 桐山聡, 日下一也, 英崇夫 :
動き始めた創成学習, --- 徳島大学創成学習開発センターの活動 ---,
大学研究ジャーナル, 95-106, 2005年.

(キーワード): 創成学習 / 創成学習開発センター / 自主創造学習

Mitsuhiko Hataya, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga and Tatsuya Matsue :
Residual stress measurement in sputtered copper thin films by synchrotron radiation and ordinary X-rays,
Materials Science Forum, Vol.490-491, 661-668, 2005.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.661
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-35148886696

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.661, Elsevier: Scopus) Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi :
Effect of substrate temperature on crystal orientation and residual stress in RF sputtered galium nitride films,
Materials Science Forum, Vol.490-491, 613-618, 2005.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.613
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-35148813506

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.613, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shozo Shingubara and Osami Sakata :
In-situ observation of thermal stress in nano-size thin aluminum films,
Materials Science Forum, Vol.490-491, 577-582, 2005.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.577
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-35148837115

(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.490-491.577, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuhiro Miyagi and Kazuya Kusaka :
X-ray elastic constants of chromium nitride films deposited by arc-ion plating,
Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A22, No.4, 1785-1787, 2004.

(要約): 本論文は，アークイオンプレーティング法により成膜したCrN膜のX線的弾性定数を実験的に求めたものである．X線応力測定では，特定の回折線のひずみを測定し弾性論に基づき応力を計算するものであるから，用いる回折面に特有な弾性定数を測定によってあらかじめ求めておく必要がある．試料はステンレス鋼基板上に窒素ガス圧2.63Pa，基板温度573K，アーク電流100Aバイアス電圧-300∼-100Vで蒸着したCrN膜である．膜の配向特性は{110}であり，弾性定数の測定には220回折面を用いた．X線的弾性定数は，バイアス電圧による依存はなく，約260GPaであった．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.1705648
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1116/1.1705648

(DOI: 10.1116/1.1705648) Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi :
Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films,
Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.22, No.4, 1587-1590, 2004.

(要約): GaNの低温スパッタリング技術の研究として，スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた．高周波スパッタリングシステムは，不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち，高純度窒化膜を生成することが期待できる．いろいろな基板温度，一定のガス圧，一定の供給電力でGaN膜を堆積した．このシステムにより，基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し，良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった．高温で堆積した膜の結晶サイズは，低T_Sで生成したものよりも大きくなる．973Kで堆積したものを除くすべての膜で圧縮残留応力が現れ，この残留応力は温度の増加とともに減少する．最後に973Kで堆積した膜は白く着色し，表面には多数の微小クラックが含有した．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1116/1.1759348
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1116/1.1759348

(DOI: 10.1116/1.1759348) 大山啓, 高木均, 日下一也, 堀川敬太郎 :
Lego Mindstormsを利用した創造的ものづくり教育とその効果,
工学教育, Vol.52, No.4, 20-24, 2004年.

(要約): 創造実習は自立移動型ロボットと呼ばれる創作ロボットを利用して行われている．本報告では，Lego Mindstormsを使った創造的ものづくり教育の実施例とそれを工学教育で活用した場合に得られる教育効果について述べる．この実習の目的は，問題発見能力や問題解決能力の向上だけでなく，グループ活動能力，文章作成能力，プレゼンテーション能力などの向上も目的としている．例えば，学生は実習を通して彼ら自身で問題を解決するためのアイデアを創造したり，グループでのロボットの機構を議論することを経験できた．工学教育でこれらのロボットを利用することは相当の教育効果が期待できる．
(キーワード): 工学教育 / レゴマインドストームス / 自立移動型ロボット / 教育効果
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4307/jsee.52.4_20
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282679471098496; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4307/jsee.52.4_20

(DOI: 10.4307/jsee.52.4_20, CiNii: 1390282679471098496) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Tatsuya Matsue, Masayuki Nishida, Osami Sakata and Toshiki Sato :
Evaluation of Internal Stresses in Single-, Double- and Multi-Layered TiN and TiAlN Thin Films by Synchrotron Radiation,
JSME International Journal, Series A: Solid Mechanics and Material Engineering, Vol.47, No.3, 312-317, 2004.

(要約): 鉄鋼基板上のTiNおよびTiAlN膜の残留応力を放射光の高輝度X線を用いて調べた．本研究では，アークイオンプレーティングにより高速度鋼上に堆積した単層，2層および多層のTiNおよびTiAlN膜を試料として用意した．残留応力測定が可能となる最小厚さは，放射光では0.1μm以下に対し，実験室装置では0.8μmであった．非常に大きな圧縮残留応力が膜中に見つかった．TiAlN膜の残留応力はTiN膜よりも2倍大きかった．その結果，TiAlN単層膜と比較すると，2層，あるいは，多層膜構造にすることで，膜全体の系における平均残留応力の減少になる．
(キーワード): 薄膜 / 窒化チタン / 窒化チタンアルミ / 残留応力 / 放射光 / X線回折 / 多層構造
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1299/jsmea.47.312
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282681469252480; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1299/jsmea.47.312

(DOI: 10.1299/jsmea.47.312, CiNii: 1390282681469252480) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Residual stress and thermal stress observation in thin copper films,
Thin Solid Films, Vol.459, No.1-2, 245-248, 2004.

(要約): 保護膜を有する，または，持たない銅薄膜の内部応力を実験室X線装置および放射光システムを使った回折法により調べた．放射光システムでは，厚さ8nm程度の膜の残留応力を測定することができるが，主として厚さ100nm以上の膜の応力を実験室のX線応力装置により測定した．すべての場合，銅薄膜の残留応力は引張であった．加熱および冷却過程での熱応力を調べた．厚膜の場合，加熱過程の早い段階で初期応力は非線形なbehaviorにしたがって圧縮側へ減少した．冷却過程において，膜の応力は引張へと変化し，室温での最終段階まで増加した．加熱および冷却サイクルの間の応力差は，厚膜の場合にヒステリシスループとして現れた．薄膜の場合，熱サイクル中の熱応力変化において，ヒステリシスループもなく，非線形な関係も示さなかった．
(キーワード): 銅膜 / 薄膜 (thin film) / 残留応力 (residual stress) / 熱応力 / その場測定 / X線応力測定 (X-ray stress measurement) / 放射光
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.tsf.2003.12.102
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-2942585285

(DOI: 10.1016/j.tsf.2003.12.102, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Tatsuya Matsue, Masayuki Nishida, Osami Sakata and Toshiki Sato :
Evaluation of internal stresses in TiN thin films by synchrotron radiation,
Vacuum, Vol.74, No.3-4, 571-575, 2004.

(要約): 鋼基板上のTiN膜の残留応力を通常の実験室用X線装置と高輝度X線を出す放射光装置を用いて調べた．本研究では，アークイオンプレーティングによりステンレス鋼基板上に堆積した厚さの異なるTiN膜を試料として用意した．残留応力測定が可能である最小膜厚は，実験室装置で0.8μm，放射光では0.1μm以下であった．厚さ0.1μmの厚さの膜でさえ非常に大きな圧縮残留応力を有することが分かった．残留応力の大きさは，厚さが0.1から0,8μmの膜においてほとんど一定であった．
(キーワード): 薄膜 / 内部応力 / 放射光 / 窒化チタン / アーク·イオン·プレーティング
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2004.01.029
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2004.01.029

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2004.01.029) Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target,
Vacuum, Vol.74, No.3-4, 613-618, 2004.

(要約): 窒化ガリウム粉末ターゲットを用いた高周波スパッタリングによって堆積したGaN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折によりアルゴンと窒素から成る雰囲気ガス中の窒素濃度(C_N2)の関数として調べた．それに加えて，原子間力顕微鏡により膜表面を観察した．次の結果が得られた．(1)粉末ターゲットを用いたスパッタリングにより堆積したGaN膜は，c軸が基板面法線方向に配向した良い結晶配向性を有した．(2)膜厚は窒素濃度(C_N2)の増加とともに減少した．(3) C_N2=20%で堆積した膜の結晶粒サイズは最大となり，C_N2=0%で堆積したものは最小となった．(4) C_N2=20%で堆積した膜は最も良いc軸配向性を有し，C_N2=0%で堆積したものは最も悪くなった．(5) C_N2≦20%で堆積した膜には引張残留応力が発生し，C_N2≧50%で堆積した膜には-1GPa以上の圧縮残留応力が発生した．
(キーワード): Gallium nitride / RF sputtering / Powder target / Crystal orientation / Residual stress
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/j.vacuum.2004.01.034
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/j.vacuum.2004.01.034

(DOI: 10.1016/j.vacuum.2004.01.034) 英崇夫, 日下一也 :
卒業研究のプレゼンテーション評価とその展開,
工学教育, Vol.51, No.5, 42-50, 2003年.

(要約): 卒業研究は4年間の学部学生の教育過程に含まれるいくつかの創成科目の中で広範囲にわたる活動である．カリキュラム中の創成科目は，次のようないくつかの能力 (1)情報収集·活用能力，(2)創造能力，(3)問題発見能力，(4)グループ活動能力，(5)プレゼンテーション能力を要求する．本論文では，卒業研究活動におけるプレゼンテーション評価の方法と，2000，2001および2002年度を通しての進展を扱う．5つの研究グループからなるコアリションでプレゼンテーション評価の開発を始めた．その後，この評価は徳島大学の全工学科へ広げられた．卒業研究活動におけるプレゼンテーション評価は，プレゼンテーション能力と学生の自己啓発スキルを促進するための効果的な方法である．
(キーワード): プレゼンテーション評価 / 卒業研究 / 創成科目 / 評価方法
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4307/jsee.51.5_42
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204494125440; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4307/jsee.51.5_42

(DOI: 10.4307/jsee.51.5_42, CiNii: 1390001204494125440) 松英達也, 英崇夫, 池内保一, 日下一也 :
イオン·プレーティング法により形成したSiO2/Cu/TiN積層膜のX線的評価,
材料, Vol.52, No.10, 1231-1236, 2003年.

(要約): ガラス基板上に2層および3層に積層した膜の残留応力をX線的に評価した研究である．基板上にまずTiN膜をイオンプレーティング法により蒸着し，その上にCu膜およびSiO2膜をコーティングした．積層膜の結晶構造を原子間力顕微鏡により，また，残留応力をX線法で測定した． SiO2膜はアモルファスであり，TiNおよびCu膜は双方とも{111}配向の結晶構造を有していた．TiN および Cu膜について2点法により残留応力を測定した．Cu膜の残留応力はほぼ200MPaの引張り応力であり，アンダーコートのTiN膜の厚さとともに増大した．TiN 膜の応力は約300MPaの引張りであった．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.52.1231
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0346329967

(DOI: 10.2472/jsms.52.1231, Elsevier: Scopus) Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Masayuki Nishida, Tatsuya Matsue and Osami Sakata :
Crystal orientation and residual stress in TiN film by synchrotron radiation,
Zeitschrift für Metallkunde, Vol.94, No.6, 662-666, 2003.

(要約): アークイオンプレーティングによて堆積した1μm以下の厚さのTiN膜の残留応力を高輝度光科学研究センター(JASRI)のSPring-8放射光施設で測定した．300nm以上の厚膜は{111}配向を有するが，100nmの厚さのものは相対的にランダム配向を有する．100から800nmまでの厚さの薄膜の残留応力を正確に測定するために，通常の研究室のX線装置の代わりに高輝度放射光を使った．厚いTiN膜の残留応力は圧縮の約-7GPaで，膜の厚さに影響しない．厚さ100nmの膜の圧縮残留応力がわずかに小さくなったのは，膜の結晶配向性が異なるためと考えられる．
(キーワード): thin film / residual stress / texture / synchrotron radiation
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0742278134

(Elsevier: Scopus) Kazuya Kusaka, Kouhei Furutani, Takuya Kikuma, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films,
Materials Science Research International, Vol.8, No.4, 187-192, 2002.

(要約): プラズマ露光を防止する網を有する高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング装置によって溶融石英基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた．GaN膜は一定のガス圧，一定の供給電力，いろいろな基板温度で堆積させた．次の結果が得られた．(1)良質な結晶配向性のGaN膜は，RFスパッタリングによって堆積することができた．(2)高温で堆積したすべての膜において，GaN結晶のc軸は基板面法線方向に優先配向した．(3)573K以上の高基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良かったが，873Kで堆積した膜は基板から剥離した．(4)プラズマ露光を防止する目の細かな網を有するスパッタリング装置により，良い結晶配向膜が形成できた．(5)573K以下の低T_Sで堆積した膜に圧縮残留応力が確認された．(6)プラズマ防止網を有するRFスパッタリング装置で堆積した膜に圧縮残留応力が確認された．
(キーワード): Gallium nitride film / Radio frequency sputtering / Residual stress / Crystal orientation / Plasma protection net / X-ray diffraction
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.51.12Appendix_187
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001205443968512; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0037004116

(DOI: 10.2472/jsms.51.12Appendix_187, CiNii: 1390001205443968512, Elsevier: Scopus) 英崇夫, 日下一也 :
プレゼンテーションの実施によるアウトカムズ評価の新しい試み,
工学教育, Vol.50, No.5, 47-53, 2002年.

(要約): 本論文では新しく開発したプレゼンテーションによるアウトカムズ評価の方法を紹介する．この評価では，教師のみならず学生も評価に加わる．評価項目として，プレゼンテーションの内容およびプレゼンテーションの技法のそれぞれについて数項目を設定した．プレゼンテーション評価によって，表現力は向上し，また，評価能力も経験を重ねることによって高揚することが明らかになった．創成科目である「創造演習」，「創造実習」および「卒業研究」について実施した結果を紹介する．
(キーワード): Engineering education / Students / Outcomes assessment / Design course
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4307/jsee.50.5_47
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390001204494433792; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4307/jsee.50.5_47

(DOI: 10.4307/jsee.50.5_47, CiNii: 1390001204494433792) Kazuya Kusaka, Daisuke Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films,
Vacuum, Vol.66, No.3-4, 441-446, 2002.

(要約): スパッタ生成したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた．AlN膜は，いろいろなスパッタリングガス圧(P)および窒素濃度(C_N)の条件下で，アルゴンと窒素の混合ガスを用いた直流(DC)および高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に堆積させた．以下の結果が得られた．(1)RFスパッタリングで堆積したAlN膜の結晶配向性は，DCスパッタリングで生成したものよりも優れている．(2)AlN膜のc軸配向性はPの減少およびC_Nの増加とともに向上する．(3)大きな平面圧縮応力は低Pで得られ，平面引張応力は高P(P<1 Pa)で得られた．(4)低P(P<1 Pa)でDCスパッタリングにより生成された膜には，微小クラックが広範囲に発生した．(5)平面引張応力は低C_Nで得られ，大きな圧縮応力は高C_N(C_N>40%)で得られた．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0042-207X(02)00168-9
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0037136161

(DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00168-9, Elsevier: Scopus) Takuya Kikuma, Kikuo Tominaga, Kazuo Furutani, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Takashi Mukai :
GaN films deposited by planar magnetron sputtering,
Vacuum, Vol.66, No.3-4, 233-237, 2002.

(要約): プラズマ防止網を使ったRFプレーナマグネトロンスパッタリングにより溶融石英基板上に堆積したGaN膜の結晶配向性を調べた．一定のN₂ガス圧，一定の供給電力，84℃と600℃の間のいろいろな基板温度で試料の膜を堆積した．良いc軸配向性を有するGaN膜がRFスパッタリングにより生成された．また，生成したほとんどすべての膜において，基板面法線方向にGaN結晶のc軸が配向した． 300℃以上の基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良いけれども，600℃で堆積した膜は基板から剥離した．プラズマ露光から膜を守るために取り付けた目の細かい網は，結晶配向性の良い膜を堆積させるのにたいへん有効であることが分かった．そして，ターゲットから30mmの距離に網を設置してスパッタリング生成した膜の結晶配向性が最も良かった．
(キーワード): sputtered GaN film / sputtering / DIMETHYLHYDRAZINE / HETEROSTRUCTURE / DIODES
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0042-207X(02)00147-1
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S0042-207X(02)00147-1

(DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00147-1) Kikuo Tominaga, Takuya Kikuma, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Energetic oxygen ions in ZrO₂ deposition by reactive sputtering of Zr,
Vacuum, Vol.66, No.3-4, 279-284, 2002.

(要約): Ar+O₂雰囲気でZrターゲットスパッタリング中のエネルギを持った酸素イオンの激しい流れの発生を調べた．負のエネルギを持つ酸素イオンは，constructedプローブを用いて検出される．Zrターゲットの表面酸化を監視するために，スパッタされたZr原子の光電子放出強度を観察した．Zrターゲットの表面はスパッタリング中に急速な酸化を受けることが示された．負のエネルギを持つ酸素イオンの激しい流れの発生は，スパッタリングの結果として，Zrターゲットが激しく酸化することが考えられる．
(キーワード): energetic oxygen / Zr-oxides / film degradation
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0042-207X(02)00155-0
(文献検索サイトへのリンク): ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.1016/S0042-207X(02)00155-0

(DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00155-0) 日下一也, 浮田浩行, 松尾繁樹 :
創造基礎能力とプレゼンテーション技術を高めるための教育方法,
工学教育, Vol.50, No.3, 98-103, 2002年.

(要約): 1年生を対象とした導入教育である創造演習において，平成12年度および平成13年度に実施した課題「ルーツを探れ!」の成果について報告する．この課題は，機械工学分野のある事項に対してそのルーツを調査し，その事項がどのような背景で起こり，どのような発展経緯をとって現在に至っているかを3人のグループでまとめあげる作業を行う．この作業を通して発見や創造の過程を学ぶことができる．最終的にこの実習では，学生の創造基礎能力，グループ活動能力，報告書作成能力およびプレゼンテーション能力の向上が期待できる．とくに，プレゼンテーション能力は，学生参加型評価の導入により大きな向上が確認された．
(キーワード): Engineering Education / Student / Practice / Pre-Design Process / Presentation Skills / Evaluation Technique
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.4307/jsee.50.3_98
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282679469482624; ● Search Scopus @ Elsevier (DOI): 10.4307/jsee.50.3_98

(DOI: 10.4307/jsee.50.3_98, CiNii: 1390282679469482624) 英崇夫, 森口忠和, 日下一也, 松英達也 :
アルミニウム基材へのTiN厚膜の作製とその摩耗特性,
材料, Vol.50, No.7, 732-737, 2001年.

(要約): 産業界において，アルミニウム(A1050)やアルミニウム合金(A5052およびA2017)は機械部品に幅広く使われている．しかしながら，低強度，低硬度のため，本質的に適用が制限される．本研究で，アークイオンプレーティングによってアルミニウムおよびアルミニウム合金基板の表面にTiN膜の蒸着を試みた．耐摩耗特性を得るためにアルミニウム基材料上に厚いTiN膜を堆積することを目的とする．堆積中における基板温度の上昇を最小にするため，120分間の冷却期間をともなう断続的にTiN膜を堆積させる行程を計画した．TiN膜の硬さと摩耗特性の役割を調べるために，アーク電流，バイアス電圧および成膜時間を変化させた．低バイアス電圧の条件で堆積した膜は(100)面が優先配向するが，高バイアス電圧では(111)面が優先配向することがX線回折実験より明らかになった．-30V以下のバイアス電圧でA5052およびA2017基板上に堆積したTiN膜にはクラックが観察できなかったが，-20V以上のバイアス電圧でA1050基板上に堆積した膜にはクラックが発生した．アルミ基材料上に厚いTiN膜を得るためには，低バイアス電圧が基本である．摩耗試験をボール·オン·ディスク型で行った．A1050基板上の厚さ9μmの膜において摩耗痕の深さは約40μmだった．しかしながら，膜厚に関係なく，低バイアス電圧で堆積したその他の膜では摩耗痕が現れなかった．膜の硬さが低バイアス電圧で減少するけれども，厚いTiNの被覆により摩耗特性は大きく向上した．
(キーワード): TiN film / Aluminum substrate / Arc ion plating / Wear property / Crystal orientation / X-ray diffraction
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.2472/jsms.50.732
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1390282680369480192; ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0035387887

(DOI: 10.2472/jsms.50.732, CiNii: 1390282680369480192, Elsevier: Scopus) Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Crystal Orientation and Residual Stress in Chromium Nitride Films Deposited by Arc-Ion Plating,
Materials Science Research International, Special Technical Publication, Vol.1, 299-302, 2001.

(要約): 窒化クロム(CrN)膜は非常に硬く，高強度のために，エンジンのピストンリングや連結ロッドとしての使用が考えられている．我々はアークイオンプレーティング(AIP)法により炭素鋼(JIS:S50C)基板上に堆積したCrN膜の硬さと粗さを調べた．また，X線回折を用いて結晶配向性および残留応力も調べた．次の条件でCrN膜を堆積した．窒素雰囲気ガスの圧力を2.66Paに固定し，基板温度を約573Kに保持し，アーク電流は50Aと100Aの2つの状態に設定し，基板に供給するバイアス電圧は-300Vと0Vの間で変化させ，試料台を設置するテーブルを約3rpmで回転させた．我々は以下の結果を得た．(1)膜のヴィッカース微小硬さは，低バイアス電圧(V_B=0 V)で約1500HV，-10Vを超える負のバイアス電圧で約2500であった．(2)膜表面は負のバイアス電圧の増加とともに滑らかになった．(3)X線回折線図より，低アーク電流(I_A=50 A)低バイアス電圧(V_B=0 V)で{111}配向，高アーク電流(I_A=100 A)低バイアス電圧(V_B=0 V)で{100}配向，-100Vを超える負のバイアス電圧で{110}配向となることが明らかになった．(4)ほとんどすべての膜において圧縮残留応力が確認された．

Makoto Nisiike, Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
X-Ray Evaluation of Laser-Peened Aluminum Surface,
Materials Science Research International, Special Technical Publication, Vol.1, 285-290, 2001.

(要約): ショットピーニングは，表面層に圧縮残留応力を発生させ，硬くすることによって材料の表面特性を改善する技術である．これは幅広い工学分野，特に，繰り返し負荷を受ける機械部品に実施された．近年，レーザピーニングは新しい表面改質技術として開発された．高エネルギパルスレーザを水中に設置した材料表面に照射すると，直ちに高圧プラズマが材料表面に生成される．プラズマは表面層から内部へ浸透する衝撃波を誘起する．本研究ではYAGレーザ第2高調波を使用し，水中に固定した試料に照射した．表面特性のパルスエネルギおよび焦点位置依存性を調べた．ピーニングの結果発生する残留応力をX線応力測定により評価した．次の結果が得られた．(1)7.0の高レーザ出力で塑性変形と残留応力が発生した．(2)表面前方でレーザビームを集光させたとき，圧縮応力が増加した．一方，表面後方で集光させたときには引張残留応力が発生した．(3)表面粗さは，表面後方で焦点を結ぶよりも前方で結ぶ方が大きくなる．(4)硬化の深さは，7.0のレーザ出力で約10μmであると評価した．

Yasuhiro Miki, Tadashi Taniguchi, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Tatsuya Matsue :
X-ray Stress Measurement and Mechanical Properties of TiN Films Coated on Aluminum and Aluminum Alloy Substrates by Arc Ion Plating and Ion Beam Mixing,
Materials Science Research International, Vol.6, No.4, 243-248, 2000.

(要約): 工具上のTiNの被覆は工具寿命のprolongationに大きく成功した．本研究で，アークイオンプレーティング(AIP)法およびイオンミキシング(IBM)法によってアルミニウムおよびアルミニウム合金の表面にTiN膜の堆積を試みた．アルミニウム基の材料に耐摩耗特性を持たせることを目的とする．TiN膜の硬さおよび残留応力を調べるために，AIP処理においてバイアス電圧およびN₂ガス圧を変化させ，IBM処理において堆積率を変化させた．ヴィッカース硬さ試験において高い値(HV=1800~2400)を示した．AIPおよびIBM法によって被覆されたTiN膜は，それぞれ高い{111}および{110}優先配向を示した．TiN膜の残留応力を測定するために2点傾斜X線応力測定法を用いた．-6.3∼-2.3 GPaの大きな圧縮残留応力が，AIP法においては低いN₂ガス圧で，IBM法においては高いTi堆積率で発生した．ボール·オン·ディスク型磨耗試験機を用いて磨耗試験もまた行った．TiN皮膜を付けたとき，試料表面の磨耗痕の深さと幅は著しく減少した．
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0034453044

(Elsevier: Scopus) Kazuya Kusaka, Daisuke Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Input Power on Crystal Orientation and Residual Stress in AlN Film Deposited by dc Sputtering,
Vacuum, Vol.59, No.2-3, 806-813, 2000.

(要約): ガラス基板上DCプレーナマグネトロンスパッタリングによって堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を原子間力顕微鏡(AFM)観察およびX線回折法により調べた．一定のN₂ガス圧，一定の基板温度，いろいろな供給電力で堆積した膜の顕微鏡表面形態，膜厚および結晶配向性を調べた．次の結果が得られた．(1)結晶粒サイズと膜厚は供給電力の増加とともに増加した．(2)c軸配向性は高い供給電力でわずかに良くなった．(3)低供給電力で引張残留応力が，P=154および180Wの高供給電力で大きな圧縮応力が得られた．
(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1016/S0042-207X(00)00351-1
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-0001424183

(DOI: 10.1016/S0042-207X(00)00351-1, Elsevier: Scopus) Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasuhiro Miki, Kazuya Kusaka and Eiji Maitani :
Residual Stress in TiN Film Deposited by Arc Ion Plating,
Thin Solid Films, Vol.343-344, 257-260, 1999.

(要約): アークイオンプレーティング(AIP)法によりアルミニウムおよびステンレス鋼上にTiN膜を堆積した．TiN膜の硬さと残留応力の役割を調べるために，バイアス電圧，窒素ガス圧およびアーク電流を変化させた．ヴィッカース微小硬さ試験により，窒素ガス圧とアーク電流ともに依存する高硬度値(HV=2250~2500)が明らかとなった．X線回折線図より，TiN膜の結晶配向性はバイアス電圧に著しく依存することが分かった．窒素ガス圧およびアーク電流の関数として，TiN膜の残留応力を2点傾斜X線応力解析により測定した．アルミニウム基板上の膜には-5GPa，ステンレス鋼基板上の膜には-7GPaの非常に高い圧縮残留応力が得られた．

Takao Hanabusa, Hiroyosi Hosoda, Kazuya Kusaka and Kikuo Tominaga :
Abnormal Residual Stress State in ZnO Films Synthesized by Planar Magnetron Sputtering System with Two Facing Targets,
Thin Solid Films, Vol.343-344, 164-167, 1999.

(要約): 対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリングによって生成したZnO膜の構造と残留応力をX線回折によって調べた．ZnO膜をはコーニング#7059ガラス上に堆積した．X線回折線図から，膜が高い{00·1}配向性を有することが明らかになった．残留応力は基板法線から特別な角度ψで現れるいろいろな回折線により測定される．+ψおよび-ψから得られるひずみは互いに異なっていた．このふるまいは膜の断面にせん断応力成分の存在が推定される．アルゴンガス圧を減少させることとZnターゲットの供給電流を増加させるとともに，せん断応力の大きさは増加する．

三木靖浩, 谷口正, 日下一也, 英崇夫, 米谷英司 :
アークイオンプレーティング法によるアルミニウム基板へのTiN膜の形成とその機械的特性,
日本機械学会論文集(A編), Vol.65, No.635, 1635-1641, 1999年.

(要約): アークイオンプレーティング(AIP)法によって，アルミニウム(JIS A 1050)およびアルミニウム合金(JIS A 2017 and JIS A 5052)基板上に膜厚さ3μmのTiN膜を堆積した．TiN膜の硬さと残留応力の役割を調べるために，バイアス電圧およびN₂ガス圧を変化させた．ボール·オン·ディスク摩耗装置を使った摩耗実験もまた行った．ヴィッカース硬さ試験により，バイアス電圧と窒素ガス圧ともに依存する高硬度値(HV=2100∼2400)が明らかとなった．非常に高い{111}．窒素ガス圧の関数として，TiN膜の残留応力を2点傾斜X線応力解析により測定した．-6.3~-4.6 GPaの高い圧縮残留応力が観測された．処理された試料の基板上の摩耗痕は非常に浅かった．

Kazuya Kusaka, Takahiro Ao, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of External Magnetic Field on c-axis Orientation and Residual Stress in AlN Films,
Thin Solid Films, Vol.332, No.1-2, 247-251, 1998.

(要約): ホウ珪酸ガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を原子間力顕微鏡(AFM)観察およびX線回折法により調べた．一定の窒素ガス圧，一定の基板温度，いろいろな堆積時間，63と128ガウスの間のいろいろな外部磁場(EM)の条件の下，対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリングによってAlN膜を用意した．我々は次の結果を得た．(1)大EMで結晶粒の大きさが大きくなり，00·2回折線の半価幅値は小さくなる．(2)すべての膜でc軸配向性は良い．(3)大きな引張残留応力が大EMで発生し，EMの減少にともないイオン衝撃のために引張残留応力が減少する．

Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Influence of target shape on properties of AlN sputtered film,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.37, 5224-5226, 1998.

(要約): 屋根型アルミニウムターゲットおよび従来型平板ターゲットを有する反応性スパッタリングによりAlN膜を堆積した．膜に衝突するイオン流が減少したとき，c軸配向性およびAlN膜の粒成長は向上し，膜中の欠陥が減少する．この傾向はいろいろなN₂ガス圧や磁場でAlN膜を堆積させることで確認される．これらのデータは，従来型平板マグネトロンスパッタリングではイオン衝撃の影響を残すが，屋根型ターゲットの使用はイオン衝撃の軽減の結果として膜のプラズマ露光を減少させる効果があることを示す．

Kikuo Tominaga, Takahiro Ao, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Magnetic Field Dependence of AlN Films in DC Planar Magnetron Sputtering with Opposed Targets,
Vacuum, Vol.51, No.4, 549-553, 1998.

(要約): 対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリングによってAlN膜を堆積した．磁場分布の異なる2種類のターゲットホルダーを用いた．我々はプラズマ領域中の磁場分布が，c軸配向性，光透過率，内部応力などのAlN膜特性にどのような影響を及ぼすかを調べた．AlN膜のc軸配向性が対向ターゲット間の磁場分布に密接な関係があることが分かった．チャンバー内の磁場分布は，電子がプラズマ領域から外へ逃れることができ，AlN膜が損傷なく堆積することができるように設計させる．

日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄, 阿尾高広 :
交替式スパッタリング法によるAlN膜の残留応力測定,
材料, Vol.46, No.12, 1429-1435, 1997年.

(要約): BLCガラス基板上に堆積させたAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べた．交替式プレーナマグネトロンスパッタリング法を用いて，一定の基板温度，0.17Paと1.1Paの間のいろいろな窒素ガス圧，30秒と600秒の間のいろいろなスイッチ切り換え時間(2つの電極の正極と陰極を切り換える時間)でAlN膜を用意した．0.5Pa以下の窒素ガス圧，300秒以上の長スイッチ切り換え時間で膜を堆積したとき，AlN膜のc軸配向性は良くなる．0.3Pa以下の低窒素ガス圧，0.8Pa以上の高窒素ガス圧，120秒以下のスイッチ切り換え時間で堆積させた膜には，引張残留応力が発生する．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Plasma Protection Net on Residual Stress in AlN Films Deposited by a Magnetron Sputtering System,
Thin Solid Films, Vol.290-291, 260-263, 1996.

(要約): BLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた．一定の基板温度，0.8Paから13Paの間のいろいろな窒素ガス圧の条件の下，従来型プレーナマグネトロンスパッタリングによりAlN膜を堆積した．プラズマ防止網の使用に関して，窒素ガス圧に対して同じ定性的な傾向を示す．高窒素ガス圧で大きな引張残留応力が，低窒素ガス圧で大きな圧縮残留応力が発生した．プラズマ防止網を使用した場合，AlN膜の残留応力は圧縮側へ移行した．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Masayuki Nishida and Fukuji Inoko :
Residual Stress and in-situ Thermal Stress Measurement of Aluminum Film Deposited on Silicon Wafer,
Thin Solid Films, Vol.290-291, 248-253, 1996.

(要約): 焼鈍および急冷後，シリコンウエハ上に堆積させたアルミニウム膜の残留応力を測定した．すべての場合において残留応力は引張となるが，除冷は急冷よりも大きな応力を形成する．除冷試料の残留応力300℃以上での焼鈍後に緩和する．炭素の保護膜は残留応力の緩和に関係する．加熱段階で圧縮応力が，冷却段階で引張残留応力が形成されることがX線応力その場測定により明らかになった．走査型電子顕微鏡観察より，ヒロックの核が形成され，その後，ボイドが形成し成長することが明らかになった．

Kikuo Tominaga, Takahir Ao, Ichirou Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.35, No.9B, 4972-4975, 1996.

(要約): 2つの対向させたアルミニウムターゲットが交互にスパッタされる交替式DCスパッタリング法によりN₂およびN₂/Arガス中でAlN膜を作成し，AlNの成膜における膜損傷のメカニズムを調べた．ガス圧が3mTorrより低い場合，膜の結晶方位は堆積原子の入射方向に沿ってわずかに傾く．このシステムで膜特性に対するプラズマ露光の影響は減少した．これは基板に入る電子流が減少したためである．c軸配向性の悪化は，(00·2)面の成長方向の傾きと60eV以上のエネルギを有する正イオンによる膜衝撃の両方に帰する．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System,
Thin Solid Films, Vol.281-282, 340-343, 1996.

(要約): BLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べた．従来型システム(CPMシステム)と対向ターゲット式システム(FTPMシステム)の2種類のプレーナマグネトロンスパッタリング法により成膜を行った．それぞれのシステムにおいて窒素ガス圧(P_N)を変化させた． CPMシステムにより1Pa以下の低窒素ガス圧で堆積させたとき，AlN膜の回折線図形からc軸配向性が向上することが明らかになった．CPMシステムにおいて，2Pa以下のP_Nで堆積させた膜で圧縮残留応力が，2Pa以上のP_Nで堆積させた膜で引張残留応力が発生する．FTPMシステムにおいて，0.8Pa以下のP_Nで堆積させた膜で圧縮残留応力が，0.8Pa以上のP_Nで堆積させた膜で引張残留応力が発生する．

Kikuo Tominaga, Shozo Inoue, R.P. Howson, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
TiN films prepared by unbalanced planar magnetron sputtering under controle of photoemission of Ti,
Thin Solid Films, Vol.281-282, 182-185, 1996.

(要約): TiN膜はアンバランスドプレーナマグネトロンスパッタリングによって準備された．ここで，スパッタリング中のN₂ガス流量を調整することで，スパッタされたTi原子の量が一定に保たたれた．純アルゴンガス中でTi信号の75%のセットポイントで，得られる膜の抵抗が最小となり，膜応力が最小となり，外観が金のようになる．イオン衝撃の増加とともに膜抵抗が減少するにも関わらず，内部応力が増加する．これらの結果は，化学量論組成のTiN膜が75%のセットポイントで作製されることを示す．ここで，ターゲット表面はTiNで完全には覆われていない．エネルギを持ったイオンは，TiN膜の特性の向上に現れる．

Shozo Inoue, Kikuo Tominaga, Ronald P Howson and Kazuya Kusaka :
Effects of Nitrogen Pressure and Ion Flux on the Properties of Direct Current Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films,
Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A13, No.6, 2808-2813, 1995.

(要約): 本論文は，表面保護膜や装飾用，拡散バリアなどの用途を持つ窒化ジルコン膜を，金属ジルコンターゲットをアルゴン窒素の混合ガス中で反応性スパッタを行い作製する際，PEM法といわれる手法で行ったものである．この手法は，ターゲット表面の窒化物生成の割合を一定に保つようにして膜作製ができ，安定な条件設定が可能である．組成比の評価から，化学量論的窒化ジルコン膜は窒素分圧の非常に狭い範囲の制御で作製可能なことを示した．また，膜の抵抗率，内部応力についても評価を行い，これらへのプラズマの影響について調べた．

Kikuo Tominaga, Kazuya Kusaka, Mufei Chong, Takao Hanabusa and Yoshihiro Shintani :
Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.33, No.9B, 5235-5239, 1994.

(要約): 対向ターゲットシステムにより用意したAlN膜には，c軸配向性の悪化，膜の着色，割れ，基板からの剥離が観察された．この膜汚染は一般に絶縁膜に関係すると考えられている．これらの現象を解明するために，我々は種々のスパッタリング条件，すなわち，ターゲットホルダーの改造，基板前方にアースされた網の設置および正のバイアス電極の使用によって試料を準備した．プラズマ露光がAlN膜のc軸配向性に厳密に影響することが確認された．この影響を減少するために電子を適当に陽極へ流すことが重要である．

日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
プレーナマグネトロンスパッタリング生成によるAlN膜の結晶配向性と残留応力のプラズマ汚染の影響,
材料, Vol.43, No.490, 799-805, 1994年.

(要約): X線回折法を用いてBLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を調べた．従来型プレーナマグネトロンスパッタリング法により窒素ガス圧0.65Pa，基板温度423Kおよび523Kで成膜を行った．プラズマ汚染の影響を調べるために，ターゲットと基板間距離d_Tを30∼60mmに変化させた．00·2回折強度の測定より，短d_Tで堆積したAlN膜のc軸配向性が良くなることが分かった．しかし，d_T=30mmで用意したすべての膜は，プラズマ汚染の影響により細かな割れが観察された．d_T=60mmで形成した膜には，本実験で行った両基板温度において1GPa以上の大きな引っ張り残留応力が発生した．d_T=30mmで形成した場合，基板温度の増加とともに引張残留応力が増加した．d_T=60mmで形成した膜に比べて，d_T=30mmで形成した膜の引張残留応力はイオン衝撃の効果のために減少した．

英崇夫, 日下一也, 富永喜久雄, 藤原晴夫 :
スパッタリング生成によるAlN薄膜の残留応力の基板および基板温度依存性,
材料, Vol.42, No.477, 627-633, 1993年.

(要約): BLCガラスおよび石英基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた．成膜は対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリング法で行い，堆積条件として窒素ガス圧を0.39Pa，基板温度を373Kから553Kの間で変化させた．(00·2)面からの回折強度の測定より，523K以上の基板温度で堆積したAlN膜のc軸配向性が向上することが明らかになった．523K以下の低基板温度で堆積させたBLCガラス基板上のAlN膜には0.9∼1.4GPa，石英基板上の膜には1.4∼2.7GPaの大きな引張残留応力が形成される．特に，石英基板上の膜中の残留応力は基板温度の増加とともに大きくなる．両基板において523Kより高い基板温度で堆積した膜中の残留応力は，非常に小さい応力が形成される．真応力と熱応力の発生について検討を行った．

MISC

英崇夫, 日下一也 :
TiNおよびTiAlN膜の応力のX線的評価,
リガクジャーナル, Vol.35, No.2, 20-27, 2004年.

(要約): AIP法によりステンレス鋼基板に成膜したTiN およびTiAlNの積層膜の残竜王りょっくをシンクロトロン放射光により測定した研究である．厚さ1ミクロン以下0.01ミクロンまでのTiN薄膜の結晶配向性および残留応力を測定した．通常のX線装置では薄膜の厚さが0.5ミクロン以下のときは測定が不可能であるが，シンクロトロン放射光を用いることで薄い薄膜の残留応力測定が可能になった．また，積層膜の各層の残留応力測定もシンクロトロンにより初めて測定可能になった．TiN 膜には-2∼-4GPaの応力，TiAlN膜には-8GPaの応力が観測された．

英崇夫, 日下一也, 新宮原正三, 坂田修身, 松英達也 :
ナノサイズアルミニウム配線のエレクトロニクスマイグレーション誘起応力の挙動,
SPring-8ナノテクノロジー研究, Vol.2 2003A, 10-12, 2003年. Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Kazuya Kusaka and Yuya Muneta :
Development of green nanocomposites reinforced by cellulose nanofibers extracted from paper sludge,
Modern Physics Letters. B, Vol.29, No.06n07, 1540025_1-1540025_5, 2015.

(出版サイトへのリンク): ● Publication site (DOI): 10.1142/S0217984915400254
(文献検索サイトへのリンク): ● Summary page in Scopus @ Elsevier: 2-s2.0-84928392287

(DOI: 10.1142/S0217984915400254, Elsevier: Scopus)

総説・解説

桐山聰, 日下一也, 英崇夫, 辛動勲 :
動き始めた創成学習 -徳島大学創成学習開発センターの活動-,
大学教育研究ジャーナル, Vol.2, No.2, 113-124, 2005年3月.

(要約): 平成16年4月に開設された徳島大学創成学習開発センターの活動報告である．創成学習開発センターは「自主」「共創」「創造」を中核のコンセプトとし，学生の自主的な創造的学習法を開発するためのセンターである．学生たちの活動拠点であるイノベーションプラザにおいて平成16年10月から10件のプロジェクトが動き出した．学生たちは，異分野横断的な環境に身を置くことで，今までとは全く異なる知識や考え方を生み出している．また，グループ活動の中でチームプレーの大切さと一致団結の難しさ，チームにおける自分の役割への理解や自覚を涵養している．工学部との共催による5大学連携教育シンポジウムの開催，講演会，ホームページの開設などでセンターの活動の発進も開始された．
(キーワード): 創成学習 / 創成学習開発センター / イノベーションプラザ / プロジェクト活動
(文献検索サイトへのリンク): ● CiNii @ 国立情報学研究所 (CRID): 1050302172854754304

(CiNii: 1050302172854754304) 鈴木賢治, 日下一也 :
X線応力測定の基礎と最近の発展-5．新素材への適用,
材料, Vol.48, No.3, 308-314, 1999年3月.

講演・発表

Kazuya Kusaka, Kenta Shirasaka, Daisuke Yonekura and Yuta Tanaka :
Residual stress measurement of {211}-oriented CrN layers in CrN/Cr multilayer films,
Proceedings of the 15th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP 2019), 183-186, Kanazawa, Jun. 2019. Kazuya Kusaka, Kenta Shirasaka, Daisuke Yonekura and Yuta Tanaka :
Measurement of the residual stress in CrN films deposited on an Al alloy substrate using AIP method,
Proceedings of the 15th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP 2019), 53-56, Kanazawa, Jun. 2019. Kazuya Kusaka, Yutaka Maruoka and Tatsuya Matsue :
Residual stress and bending strength of ZnO films deposited on polyimide sheet by rf sputtering system,
The 13th international symposium on sputtering & plasma prosesses, 407-410, Jul. 2015.

(キーワード): 残留応力 (residual stress) / スパッタリング (sputtering) / 酸化亜鉛膜

Ming Cai, Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Kazuya Kusaka, Masahiro Katoh and Yang Li :
Influence of alkali concentration on morphology and tensile properties of abaca fibers,
Program and Abstract Book for 7th International Conference AMDP 2014, 136, Busan, Jul. 2014. Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Kazuya Kusaka and Yuya Muneta :
Development of nanocomposites reinforced by cellulose fibers from paper sludge,
Program and Abstract Book for 7th International Conference AMDP 2014, 64, Busan, Jul. 2014. Ming Cai, Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Kazuya Kusaka, Masahiro Katoh and Yan Li :
Effects of alkali treatment on microstructure and tensile properties of abaca fiber,
Proceedings of the SAMPE CHINA 2013, S5-6_1-S5-6_4, Shanghai, Oct. 2013. Kazuya Kusaka and Kikuo Tominaga :
Residual stress measurement in metal interlayer of metal-ceramics functionally graded thin film,
Proceedings of the twelfth international symposium on sputtering & plasma processes, 142-145, Kyoto, Jul. 2013. Bistamam Shahril Amin Mohd, Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Masahiro Katoh, Kazuya Kusaka and Jitendra Kumar Pandey :
Development of green nanocomposites reinforced by cellulose nanofibers from waste newspaper,
Proceedings of the Ninth Joint Canada-Japan Workshop on Composites, J21_1-J21_8, Kyoto, Jul. 2012. Norihisa Shimamura, Kosuke Harada, Shingo Kuno, Shinsuke Nakanishi, Takahumi Nakagawa, Satoshi Nishino, Takao Hanabusa, Shoichiro Fujisawa and Kazuya Kusaka :
Activity of Tatara Project,
Proceedings of Asian Conference on Engineering Education 2009 (ACEE2009), 213-214, Busan, Oct. 2009.

(要約): たたらプロジェクトは徳島大学の学生自主プロジェクトとして2005年から活動している．たたらプロジェクトの目的は，プロジェクト活動を通して伝統の和鋼の製作過程の情報を得ることである．得られた情報は教材として編集される．2005年に鋼を作るためのたたら炉を製作した．この炉は眞鍋型たたら炉と呼ばれている．それからけらからナイフの製作を行った．2006年にはe-ラーニング教材を制作した．これまでのたたらプロジェクトの取り組みについて報告する．

Shinohara Mitsuhiko, Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
Residual stress development in Cu thin films with and without AlN passivation by cyclic plane bending,
AMDP 2008 Program & Abstract Book, 93, Beijing, China, Oct. 2008.

(キーワード): Thin film / Bending fatigue / Residual stress / X-ray stress measurement

Isoda Hirokazu, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Evaluation of residual stresses induced by laser peening,
AMDP 2008 Program & Abstract Book, 92, Beijing, China, Oct. 2008.

(キーワード): Laser peening / residual stress / X-ray diffraction / X-ray stress measurement

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Nishida Masayuki :
Diffraction stress measurement on coarse graind materials,
The 8th International Conference on Residual Stresses, Denver, USA, Aug. 2008.

(キーワード): X-rau stress measurement / Neutron stres measurement / Coarse grain / Residual stress

Okada Kenji, Kikuo Tominaga, Retsuo Kawakami, Ohkura Shinya, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Deposition of photocatalytic tiO2 films by planar magnetron sputtering system with opposed Ti targets,
14th International Conference on Solid Films and Surfaces, 331-332, Dublin, Jul. 2008. Takao Hanabusa, Masayuki Nishida and Kazuya Kusaka :
Thermal stress behavior of micro- and nano-size aluminum films,
International Conference on Neutron and X-ray Scattering 2007, 21-27, Bandung, Indonesia, Jul. 2007. Kikuo Tominaga, Miyamoto Yoshinori, Ohkura Shinya, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Comparison of film depositions of anatase TiO2 by planar magnetron sputtering with opposed Ti targets and conventional Ti targets,
The 20th Symposium on Plasma Science for Materials, 108, Nagoya, Jun. 2007. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Shingubara Shoso, Tatsuya Matsue and Osami Sakata :
Measurement of electromigration-induced stress in aluminum interconnection,
Proceedings of the Ninth International Symposium on Sputtering and Plasma Process, 411-414, Kanazawa, Jun. 2007. Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
Stress Assisted Atomic Migration in Copper Thin Films,
Proceedings of the Ninth International Symposium on Sputtering and Plasma Process, 229-232, Kanazawa, Jun. 2007. Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Alteration of Residual Stresses in TiN Films by Synchrotron Radiation due to Heat Treatment,
Proceedings of the Ninth International Symposium on Sputtering and Plasma Process, 127-130, Kanazawa, Jun. 2007. Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Masayuki Nishida :
Stress-assisted atomic migration in thin copper films,
APCFS'06, 22-25, Hainan Iland, China, Nov. 2006. Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
Encouragement of student activities by presentation evaluation,
Proceeding of the 34th SEFI Annual Conference, 109, Uppsala, Sweden, June 2006, Jun. 2006. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Satoshi Kiriyama, Tetsushi Ueta, Akio Tsuneda and Takuo Nagamachi :
Mutual evaluation of presentation skills between two distant universities by giga-bit network,
Abstract of 6th Asian-Pacific Conference on PBL, 79, Tokyo, May 2006. Satoshi Kiriyama, Ikeda Yuuichi, Kazuya Kusaka, Masanobu Haraguchi and Takao Hanabusa :
The Good Result of Independent Project Activities by Students and the New prospect of Creativity Education,
Proceedings of The 1st International Conference Design Engineering and Science (Proc. of ICDES2005), 369-373, Wien, Oct. 2005. Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasukazu Ikeuchi, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Alteration of internal stresses in SiO₂/Cu/TiN thin films by synchrotron radiation due to heat treatment,
The 8th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kanazawa, Japan, Jun. 2005. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Shoso Shingubara, Tatsuya Matsue and K. Ohshima :
Behavior of electromigration-induced stress in nano-sized aluminum interconection,
The 8th International Symposium on Sputterring and Plasma Processes, Kanazawa, Japan, Jun. 2005. Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
Thermal stress behavior in nano-size thin aluminum films,
Advanced Materials Development & Performance Conference 2005, 157, Auckland, New Zealand, Jun. 2005. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Shoso Shingubara, K. Noda and K. Oshima :

The 8th International Sympsium on Sputtering & Plasm Processes, MN-P-3, Kanazawa, Jun. 2005. Tatsuya Matsue, Takao Hanabusa, Yasukazu Ikeuchi, Kazuya Kusaka and Osami Sakata :
Alteration of internal stresses in SiO2/Cu/TiN thin films by synchrotron radiation due to heat treatment,
The 8th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, TF-P1-13, Kanazawa, Jun. 2005. Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ observation of thermal stress in nano-size thin aluminum films,
The Seventh International Conference on Residual Stresses, Xi'an, China, Jul. 2004. Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ Thermal Stress Measurement of Thin Films During Thermal Cycling,
Proceedings of 4th International Forum on Advanced Materila Science and Technology, Troyes([France]), Jul. 2004.

(要約): ガラス基板およびシリコン基板上に成膜した薄膜の熱応力挙動を実験室用のX線応力測定装置およびSpring-8のシンクロトロン放射光を用いてその場測定した研究である．試料はマイクロサイズおよびナノサイズの厚さのアルミニウム膜であり，保護膜の有無による熱応力挙動の効果を観察した．すべての膜において成膜後の残留応力は引張であった．試料を加熱すると薄膜中の応力は圧縮に変化し，冷却により再び引張に変化した．厚い膜の応力は室温からの加熱で非線形的な挙動を示して圧縮に変化し，それに続く冷却過程で引張に変化する．この加熱と冷却の過程で膜の応力は異なる応力値を示しヒステリシスを描いた．20および10ナノメートルサイズの膜の熱応力は加熱冷却過程で線形的な挙動を示し，ヒリシスも観測されなかった．膜の降伏応力の温度依存性および膜厚依存性の因子さらに保護膜の有無の条件を導入して薄膜の熱応力挙動を考察した．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ Observation of Thermal Stress in Nano-size Thin Films,
Proceedings of 16th International Vacuum Congress, Venice([Italy]), Jun. 2004.

(要約): シリコン基板上に成膜した薄膜の熱応力挙動をシンクロトロン放射光を用いてその場測定した研究である．試料はナノサイズの厚さのアルミニウム膜であり，その上にSiO2の保護膜をつけたものである．薄膜の厚さは10nm，20nm，50nmである．成膜後の残留応力は引張であった．試料を300℃まで加熱すると薄膜中の応力は圧縮に変化し，冷却により再び引張に変化した．厚さ50nmの膜の応力は室温から300℃までの最初の熱サイクルで非線形的な挙動を示し，2回目のサイクルでは線形的な挙動を示した．それに対して，厚さ10nmの膜の応力はほぼ線形的な変化をし，加熱冷却過程でヒステリシスも観測されなかった．薄膜の熱応力挙動を膜の降伏応力の温度依存性および膜厚依存性の因子を導入して考察した．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Shoso Shingubara, Tatsuya Matsue and Osami Sakata :
In-situ thermal stress measurement in nano-sized aluminum and copper films with SOG passivation,
AIP Conference Proceedings of Stress-induced Phenomena in Metallization, Vol.741, 229-235, Austin([USA]), Jun. 2004.

(要約): ガラス基板およびシリコン基板上に成膜した薄膜の熱応力挙動を実験室用のX線応力測定装置およびSpring-8のシンクロトロン放射光を用いてその場測定した研究である．試料はマイクロサイズおよびナノサイズの厚さのアルミニウム薄膜および銅薄膜であり，それぞれ保護膜の有無による熱応力挙動の効果を観察した．すべての膜において成膜後の残留応力は引張であった．試料を加熱すると薄膜中の応力は圧縮に変化し，冷却により再び引張に変化した．アルミニウム薄膜の結果は，厚い膜の応力は室温からの加熱で非線形的な挙動を示して圧縮に変化し，それに続く冷却過程で引張に変化する．この加熱と冷却の過程で膜の応力は異なる応力値を示しヒステリシスを描いた．20および10ナノメートルサイズの膜の熱応力は加熱冷却過程で線形的な挙動を示し，ヒリシスも観測されなかった．膜の降伏応力の温度依存性および膜厚依存性の因子さらに保護膜の有無の条件を導入して薄膜の熱応力挙動を考察した．銅薄膜については，加熱による膜のはく離により，信頼性の高い結果が得られなかった．

Mitsuhiko Hataya, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga, Tatsuya Matsue and Osami Sakata :
Residual Stress Measurement in Sputtered Copper Thin Films by Synchrotron Radiation and Ordinary X-rays,
Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, 661-666, Xi'an, Jun. 2004.

(要約): ナノメートルサイズの厚さのCu薄膜の残留応力をシンクロトロン放射光を用いて測定した研究である．Cu薄膜は石英基板の上にdcプレーナマグネトロンスパッタリング法を用いて2種類の基板温度の条件の下で成膜した．さらに，原子間力顕微鏡を用いて膜表面の観察を行った．これらの測定の結果，基板上での膜の形成過程を明らかにし，200nm以上の厚さになると{111}配向すること，さらに，残留応力はすべての場合引張であること，また，膜の構造により残留応力の緩和が起こることを観察した．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi :
Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in RF Sputtered Gallium Nitride Films,
Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, 613-618, Xi'an, Jun. 2004.

(要約): 本論文は，RFスパッタリング法で作製したGaN膜についてX線的に特性評価したものである．GaNの低温スパッタリング技術の研究として，スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)試料を作成した．この試料の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた．高周波スパッタリングシステムは，不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち，高純度窒化膜を生成することが期待できる．いろいろな基板温度，一定のガス圧，一定の供給電力でGaN膜を堆積した．このシステムにより，基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し，良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった．高温で堆積した膜の結晶サイズは，低TSで生成したものよりも大きくなる．残留応力は圧縮であり，堆積温度の上昇と共に減少することがわかった．

Dongying Ju, Tomio Ueda, Takashi Hatakeyama, Takuya Arizono, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Evaluation of Residual Stress in Nano-TiO2 Film on ITO Glass by Synchrotron X-Ray Diffraction,
Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, Xi'an, Jun. 2004.

(要約): ITOガラス基板上に成膜したナノメートルサイズ厚さのTiO2膜の残留応力を測定評価した研究である．30nm以下の厚さの薄膜を2元アークマグネトロンスパッタリング法により成膜した．ガス圧は10Paおよび20Paである．膜の表面の微視的観察および結晶組織の観察を原子間力顕微鏡で行った．また，残留応力評価の基礎となる膜の弾性定数を3点曲げ治具を使ってナノインデンテーション法で行った．残留応力測定にはSpring-8のシンクロトロン放射光を用いた．10Paおよび20Paで成膜したTiO2膜にはそれぞれ-11.6GPaおよび-9.1GPaの残留応力が存在することを観測した．また，TiO2膜の残留応力がガス圧とともに減少することも観測した．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ Observation of Thermal Stress in Nano-size Thin Aluminum Films,
Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, Xi'an, Jun. 2004.

(要約): シリコン基板上に成膜した薄膜の熱応力挙動をシンクロトロン放射光を用いてその場測定した研究である．試料はナノサイズの厚さのアルミニウム膜であり，その上にSiO2の保護膜をつけたものである．薄膜の厚さは10nm，20nm，50nmである．成膜後の残留応力は引張であった．試料を300℃まで加熱すると薄膜中の応力は圧縮に変化し，冷却により再び引張に変化した．厚さ50nmの膜の応力は室温から300℃までの最初の熱サイクルで非線形的な挙動を示し，2回目のサイクルでは線形的な挙動を示した．それに対して，厚さ10nmの膜の応力はほぼ線形的な変化をし，加熱冷却過程でヒステリシスも観測されなかった．薄膜の熱応力挙動を膜の降伏応力の温度依存性および膜厚依存性の因子を導入して考察した．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ observation of thermal stress in nano-size thin films,
16th International vacuum congress, Venice, Italy, 2004. Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Shoso Shingubara and Osami Sakata :
In-situ thermal stress measurement of thin films during thermal cycling,
4th International forum on advanced materials science and technology, Troyes, France, 2004. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Measurement of Crystal Orientation and Residual Stress in GaN Film Deposited by RF Sputtering with Powder Target,
Proceedings of the Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Process, 157-160, Kanazawa, Jun. 2003.

(要約): 本論文は，RFスパッタリング法で作製したGaN膜についてX線的に特性評価したものである．GaNの低温スパッタリング技術の研究として，スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)試料を作成した．この試料の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた．高周波スパッタリングシステムは，不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち，高純度窒化膜を生成することが期待できる．いろいろな基板温度，一定のガス圧，一定の供給電力でGaN膜を堆積した．このシステムにより，基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し，良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった．高温で堆積した膜の結晶サイズは，低TSで生成したものよりも大きくなる．残留応力は圧縮であり，堆積温度の上昇と共に減少することがわかった．

Kikuo Tominaga, Takuya Kikuma, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Energetic oxygen ions in ZrO₂ deposition by reactive sputtering of Zr,
Proc. 6th International Symposium on Sputtering &Plasma Processes, 434-437, Kanazawa, Jun. 2001.

(要約): Ar+O₂中のZrの反応性スパッタにおいて強い高速酸素が生成することを見出した．これはZrターゲット表面は酸素雰囲気中で，ターゲットの一部が酸化されている状態の金属モードでのスパッタでは急激に酸化が進むことを示す．また，ターゲット表面全体が酸化されている酸化モードのスパッタでは，非常に厚い酸化膜層が形成されていることを示す．

Takao Hanabusa, Yasuhiro Miki, Tatsuya Matsue and Kazuya Kusaka :
The Effect of Residual Stresses on the Wear Behavior of TiN Films on Aluminum Substrates,
Proceedings of the Sixth International Conference on Residual Stresses, Vol.2, 827-834, Oxford, United Kingdom, Jul. 2000.

(要約): 本論文は，アルミニウム基板上に蒸着したTiN膜に関する研究である．柔らかい基板上にTiN膜をアークイオンプレーティング法により蒸着する方法を開発した．3種の基板を用意し，バイアス電圧と窒素ガス圧を変えてTiN 膜を作製した．TiN膜は{111}配向をしており，その配向性はバイアス電圧が高くなるにつれ劣化した．X線応力測定法としては2点法を使った．残留応力は-6MPa程度であり，基板と膜の熱膨張差による熱残留応力に比べて一桁大きいものであった．摩耗試験の結果，硬い基板上の膜は摩耗がなく耐摩耗膜としての条件を備えた．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Relationship between Grain Size and Residual Stress in AlN Sputtered Film,
Proceedings of the Sixth International Conference on Residual Stresses, Vol.1, 391-398, Oxford, United Kingdom, Jul. 2000.

(要約): 本論文は，ガラス基板上にプレーナマグネトロンスパッタリングにより蒸着したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により実験的に調査したものである．通常のプレーナマグネトロンスパッタリング法(CPM)および2枚のターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法(FTPM)により成膜したAlN膜について，膜表面形状と結晶特性を調べた．窒素ガス圧は一定とし，基板温度と蒸着時間をパラメータとした．得られた結果は次のとおりである．(1)FTPMの膜はCPMに比べて結晶粒が大きい．(2)CPMで作製した厚い膜は高いc軸配向性を有する．(3)FTPMで製作した膜および低基板温度で作製した膜は高い引張残留応力を有する．

Kikuo Tominaga, Yoshifumi Sato, Ichiro Mori, Kouhei Furutani, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
InN film deposition by planar magnetron sputtering,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development & Performance Evaluation and Application, 474-477, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，ガラス基板上にRFプレーナマグネトロンスパッタリング法により生成したInN膜の結晶成長，表面形状，電気特性をX線回折，原子間力顕微鏡観察，Hall電圧特性，膜の抵抗特性の測定により観察したものである．作製した膜の結晶はすべてc軸配向を示していた．キャリア密度およびキャリア移動度を測定した．キャリア移動度は結晶粒径と共に増加したが，表面粗さの増大により移動度は減少した．

Kazuya Kusaka, Daisike Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 223-228, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，dcプレーなマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力を，原子間力顕微鏡およびX線回折法により実験的検証をしたものである．薄膜の作製条件としては，一定窒素ガス圧，一定基板温度の下で，スパッタリングパワーをパラメータとして変化させた．得られた結果は次のとおりである．(1)結晶サイズと薄膜の厚さはスパッタリングパワーと共に増加した．もっとも良いc軸配向性はスパッタリングパワーが140Wの時に得られた．(3)スパッタリングパワーが低いときには引っ張り残留応力が，高いとき(154W，および180W)には圧縮残留応力になった．

Takeshi Sugiyama, Masayuki Nishida, Takao Hanabusa and Kazuya Kusaka :
FEM Examination of Triaxiality on X-ray Stress Measurement,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 895-899, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，複合材料の微視的残留応力の分布を有限要素法で計算し，X線応力測定における平面応力および3軸応力解析の基準との関係をあつかったものである．この研究では繊維複合材料を模擬し，異なる繊維径および異なる体積割合をパラメータとして解析を行った．この研究の結果，複合材料の応力をX線的に扱う場合は，通常の平面応力の仮定が満たされず，繊維径や繊維の体積比に依存してsin2ψ線図が非線形になることを明らかにした．

Kouhei Furutani, Bujang Lieng Anak John, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 887-890, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，rfマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したInN膜の残留応力を測定したものである．膜作製条件として，蒸着時間とスパッタリングパワーをとった．膜表面の微視的状態を原子間力顕微鏡で，膜の残留応力をX線回折法で測定した．120分で作製した膜は最高のc軸配向が示され，残留応力は1700MPaになった．180分および240分の膜はc軸配向性が劣化し，残竜応力はほぼ零であった．スパッタリングパワーが100Wの時表面粗さは最小となり，c軸配向特性も最良に，また残留応力は最高の引張応力になった．

Kunihiko Hashimoto, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
X-ray Stress Measurement of Sintered Steel, --- A Simulation of Japanease Sword ---,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 891-894, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，日本刀の残留応力の実験的シミュレーションを行ったものである．日本刀は刀匠により伝統的な経験に基づき鋼の製作，浸炭，鍛造，焼き入れ，焼き戻し，研削，研磨などの作業を通して作られるものである．この日本刀は内部に柔らかい材料，そして外表面に硬い材料を構成する方法がなされており，製作後に内部に残留応力が発生する．この残留応力を模擬するため，低炭素鋼に浸炭処理を施して，炭素量が表面から内部に向けて分布する試料を作った．この試料の内部の硬さ分布および残留応力分布を測定した．浸炭された領域で硬さは上昇し，残留応力は圧縮になり，内部の低炭素領域では元の硬さで残留応力は張りになることを明らかにした．

Daisike Taniguchi, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Films Deposited by rf Sputtering,
Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 883-886, Tokushima, Nov. 1999.

(要約): 本論文は，ガラス基板上にrfスパッタリング法により蒸着したAlN膜の残留応力測定に関するものである．成膜方法として，通常の平面ターゲットと屋根型ターゲットを用いた．これらの方法で作成した膜のc軸特性および残留応力に及ぼす雰囲気ガス圧およびスパッタリングパワーの依存性をX線回折法により調査した．低ガス圧では平面ターゲットで，また高ガス圧では屋根型ターゲットでよいc軸配向成が得られた．残留応力はスパッタリングパワーが200Wの場合はすべての膜で引張残留応力，100Wの場合に低ガス圧で圧縮，高ガス圧で引張になった．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao :
Effect of External Magnetic Field on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System,
Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, 378, Tokushima, Oct. 1997.

(要約): 本論文は，AlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べたものである．2枚のターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により薄膜形成した．本論文では，成膜条件として外部磁場をとり真空容器の外側に作用させる磁場の膜特性に及ぼす影響を調べた．結晶配向成を示すc軸の傾きは磁場に依存しなかったが，残留応力は磁場に依存し，磁場の増加に伴って引張残留応力値が大きくなった．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Masayuki Nishida :
Development of Thermal Stress in Aluminum Film on Silicon Substrate,
Proceedings of the First International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 268-273, Auckland, Jul. 1997.

(要約): 本論文は，薄膜のストレスマイグレーションの基本的メカニズムを調べたものである．シリコン基板上のアルミニウム膜について加熱冷却過程での膜の応力のその場測定を行った．保護膜付きのものと保護膜なしのものについての比較を行い，保護膜の有無による原子移動の違いを明らかにした．加熱の初期過程で膜の応力は引張から圧縮側に線形に変化し，その後圧縮応力の増加率が緩和した．冷却過程では圧縮から引張に変化し室温への冷却で引張残留応力になった．加熱過程と冷却過程では応力変動挙動が異なりヒステリシスループを描き，その様子は保護膜の有無で異なった．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by Planar Magnetron Sputtering System,
Proceedings of the First International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application, 310-315, Auckland, Jul. 1997.

(要約): 本論文は，BLCガラス基板上に蒸着したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法を用いて調査したものである．蒸着方法としては，通常のプレーナマグネトロンスパッタリング法と2枚のターゲットを用いた方法を使用した．本実験では，窒素ガス圧をパラメータとした．通常の方法を用いた場合，窒素ガス圧が1Pa以下のときに良好なc軸配向性を得た．通常の方法では，残留応力はガス圧が2MPa以下の場合，圧縮であり，2MPaを超えると引張であった．それに対して，2枚のターゲットを用いた方法では，0.8MPa以下の場合に引張であり，0.8MPaを超えると圧縮になった．

Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Takahiro Ao :
Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System,
Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses, 1048-1053, Linkoeping, Sweden, Jun. 1997.

(要約): 本論文は，BLCガラス上に蒸着したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調査したものである．膜の作製には2枚のターゲットによるプレーンナマグネトロンスパッタリング法を用い，成膜条件としてはガス圧，基板温度を一定とし，窒素分圧をパラメータとした．窒素分圧が70%以上のときAlN膜はc軸配向となり，窒素分圧が低くなると共に配向特性が悪化した．残留応力は窒素分圧が高いとき圧縮であり，低いときは引張になった．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Masayuki Nishida and Fukuji Inoko :
In-situ Thermal Stress Measurement and Observation of Void and Hillock Formation of Aluminum Film,
Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses, Vol.2, 854-861, Linkoeping, Sweden, Jun. 1997.

(要約): 本論文は，薄膜中に起こるストレスマイグレーションの基本的メカニズムを研究したものである．シリコン基板上に蒸着したアルミニウム膜について保護膜のあるものおよびないものを試料とし，加熱冷却過程における熱応力をその場測定した．加熱過程で，熱応力は初期に線形変化をした後わずかな圧縮応力状態になる．冷却過程では熱応力は引張応力に変化し非線形挙動を示しながら，最終的には大きい引張応力になる．保護膜付きの試料での応力の変化は保護膜なしの膜の変化より大きいことが明らかになった．SEM観察およびAFM観察により，加熱過程で膜表面にヒロックが，冷却過程で膜にボイドができることが明らかになった．膜の応力形成とひロック，ボイドの形成との対応が明らかになった．

Kikuo Tominaga, Takahiro Ao, Yoshifumi Sato, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa :
Magnetic field dependence of AlN film properties in DC facing target sputtering,
4th International symposium on sputtering & plasma processes, 129-133, Kanazawa, Jun. 1997. Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga :
Effects of Substrate Temperature and Successive Annealing on Residual Stress in AlN Films Dposited by Sputtering,
Proceedings of the First International Symposium on Thermal Stresses and Related Topics, 599-602, Hamamatsu, Jun. 1995.

(要約): 本論文はガラス基板上に製作したAlN膜の結晶配向性および残留応力挙動について検討した結果の報告である．スパッタリング法で作成したAlN膜はc軸配向性を有しており，通常のX線応力解析法の適用は不可能なので，著者等が新しく提案した応力測定法により残留応力測定した．製膜後の残留応力は1GPa以上の引張であり，基板温度の上昇により大きくなる．また，この残留応力は試料の加熱により基板と膜との熱膨張係数差による熱残留応力挙動に従うことを明らかにした．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka and Kikuo Tominaga :
Residual Stress in Aluminum Nitride Films Deposited on Glass Substrate by Magnetron Sputtering Method,
Proceedings of the Fourth International Conference on Residual Stresses, 631-639, Baltimore, Maryland, USA, Jun. 1994.

(要約): ガラス基板上に製作したAlN膜に対する新しいX線残留応力解析法を提案した．スパッタリング法で作成したAlN膜は極めて強いc軸配向性を有し，通常のX線応力解析法の適用は不可能である．低回折角度領域での格子ひずみ測定の可能な側傾法を利用し，c軸に対して傾いた方向に法線をもつ種々の(hkl)面の格子ひずみを測定する新しい解析法を提案した．この方法により，X線応力測定としては極めて不利な条件にあるc軸配向AlN膜の残留応力測定が可能になった．基板の種類と製膜時の基板温度をパラメータとして残留応力を測定した結果，AlN膜には真応力と基板と膜の熱膨張差による熱残留応力が混在し，熱残留応力は試料の加熱により消滅することが明らかになった．

Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga and Haruo Fujiwara :
Dependence of Substrate and Its Temperature on Residual Sress Development in AlN Films Deposited on Glasses by Magnetron Sputtering Method,
Proceedings of International Symposium on Nondestructive Testing & Stress-Strain Measurement, 516-523, Tokyo, Oct. 1992.

(要約): マグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に形成したAl膜およびAlN膜の残留応力をX線回折法により調べた．特に，基板の種類および基板温度をパラメータとして，残留応力に対する影響を調べた．基板には熱膨張係数がAlNとほぼ同じものと異なるものを用いた，基板温度は室温から高温までの数段階を設定した．その結果，AlN膜の残留応力は温度依存性が認められ，臨界の基板温度までは引っ張り残留応力が増加する．その傾向は基板とAlN膜の熱膨張係数差により説明できることを確認した．また，臨界の基板温度を超えると残留応力は低下し，微視的残留応力の緩和によるものと推定した．

松本明彦, 日下一也, 米倉大介 :
AIP法で堆積した窒化クロム膜のX線的弾性定数測定,
第58回X線材料強度に関するシンポジウム論文集, 13-16, 2024年7月. 松本明彦, 日下一也, 米倉大介 :
膜厚を統一した窒化クロム薄膜のドロップレット密度と残留応力の関係,
第57回X線材料強度に関するシンポジウム論文集, 31-34, 2023年7月. 森口茉梨亜, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治 :
自主的な学生プロジェクト活動における能力自己評価の変化についての考察,
日本教育工学会研究報告集, Vol.2023, No.1, 69-76, 2023年5月.

(要約): 徳島大学高等教育研究センター学修支援部門創新教育推進班では，ものづくりを基礎とした学生の主体的なプロジェクト活動を通じて，創造的な能力や実践的な態度，社会性の育成を目指している．それらの能力について，学生自身がどのように認識しているかを確認するため，能力自己評価アンケートを実施している．2022年度に行われたアンケート結果を基に学生の能力の自己評価の変化について分析した結果，プロジェクト活動の経験や外部とのかかわりが自己評価に影響していることが示唆された．
(キーワード): 学生プロジェクト / 能力 / 自己評価 (self-evaluation)

森口茉梨亜, 亀井克一郎, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治 :
学生プロジェクト活動における業務負担とその軽減への考察,
第18回大学教育カンファレンスin徳島発表抄録集, 56-57, 2022年12月. 森口茉梨亜, 亀井克一郎, 玉有朋子, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治 :
コロナ禍 3 年目を迎えた自主的な学生プロジェクト活動の実態とその支援の実践について,
第 19 回ものづくり・創造性教育に関するシンポジウム, 4-6, 2022年12月. 森口茉梨亜, 亀井克一郎, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治, 玉有朋子 :
徳島大学イノベーションプラザの学生プロジェクト活動への支援とその方法の検討,
第10回イノベーション教育学会年次大会, 2022年11月. 川﨑森生, 坂崎拓海, 日下一也, 米倉大介 :
AIP法で生成したCrN膜内のドロップレットが圧縮残留応力に及ぼす影響,
第56回X線材料強度に関するシンポジウムプログラム講演論文集, 68-71, 2022年7月. 日下一也, 川崎森生, 坂崎拓海, 米倉大介 :
膜厚を統一したCrN薄膜の残留応力とドロップレット密度の関係,
第71期学術講演会論文集, 2022年5月. 森口茉梨亜, 亀井克一郎, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治 :
第 19 回ものづくり・創造性教育に関するシンポジウム,
第 19 回ものづくり・創造性教育に関するシンポジウム講演論文集, 11-14, 2022年2月. 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, 寺田賢治, 森口茉梨亜 :
「イノベーション・プロジェクト入門および実践」における活動報告書のルーブリックを用いた評価,
教育シンポジウム2022, 2022年1月. 川﨑森生, 岡翼, 日下一也, 米倉大介 :
AIP法により生成した窒化クロム薄膜のドロップレット量の残留応力および基板設置位置依存性,
第55回X線材料強度に関するシンポジウムプログラム講演論文集, 42-45, 2021年10月. 川﨑森生, 岡翼, 日下一也, 米倉大介 :
アークイオンプレーティング法で形成した窒化クロム薄膜の圧縮残留応力と表面性状の関係,
第70期学術講演会論文集, 2021年5月. 日下一也, 金井純子, 芥川正武, 村井啓一郎, 寺田賢治, 森口茉梨亜 :
プロジェクトマネジメント基礎におけるルーブリック個人評価の実施と効果,
徳島大学教育シンポジウム2021, 2021年1月. 日下一也, 矢田貝俊樹, 横山亮一 :
c軸優先配向した酸化亜鉛薄膜のX線的弾性定数測定,
日本材料学会第69期学術講演会論文集, 2020年5月. 日下一也, 金井純子, 芥川正武, 村井啓一郎, 寺田賢治, 森口茉梨亜 :
プロジェクトマネジメント基礎におけるルーブリック個人評価の実施と効果,
教育シンポジウム2020, 2020年. 森口茉梨亜, 寺田賢治, 日下一也, 浮田浩行, 金井純子, , 北岡和義 :
徳島大学イノベーションプラザにおける学生プロジェクトの活動∼教学IRによる教育の質保証を目指して∼,
大学教育カンファレンス in 徳島, 2019年12月. 日下一也, 白坂賢汰, 米倉大介, 田中勇太 :
AIP法によりTi合金基板上に堆積したCr/CrN多層膜の残留応力のドロップレット量依存性,
第53回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 13-16, 2019年7月. 白坂賢汰, 日下一也, 米倉大介, 田中勇太 :
アルミニウム合金基板上に堆積させた応力勾配を有するCrN単層膜およびCr/CrN多層膜の内部応力評価,
第53回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 5-8, 2019年7月. 日下一也, 白坂賢汰, 米倉大介, 田中勇太 :
{211}優先配向したCr/CrN多層膜の応力測定,
日本材料学会第68期学術講演会講演論文集, 33-34, 2019年5月. 白坂賢汰, 日下一也, 米倉大介, 田中勇太 :
アルミニウム合金基板上に堆積させた応力勾配を有する CrN 単層膜の残留応力測定,
日本材料学会第68期学術講演会講演論文集, 31-32, 2019年5月. 白坂賢汰, 日下一也, 米倉大介, 田中勇太 :
二種類の基板上に堆積したCrN単層膜およびCr/CrN多層膜の残留応力評価,
第52回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 67-70, 2018年7月. 柏木祐輔, 日下一也 :
ポリイミドフィルム上に堆積した銅薄膜の回折弾性定数の基板温度および膜厚依存性,
日本材料学会第67期学術講演会講演論文集, 197-198, 2018年5月. 白坂賢汰, 福田幹哉, 日下一也, 米倉大介, 田中勇太 :
AIP法によりTi合金及びAl合金基板上に堆積させたCrN単層膜及びCr/CrN多層膜の内部応力測定,
日本材料学会第67期学術講演会講演論文集, 199-200, 2018年5月. 中井聡, 井上優香, 日下一也, 米倉大介, 田中勇太 :
Cr/CrN多層膜を被覆したチタン合金のエロージョン特性,
日本材料学会第67期学術講演会講演論文集, 180-181, 2018年5月. 北岡和義, 金井純子, 日下一也, 織田聡, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
イノベーション教育のための全学組織「創新教育センター」の設置と今後の展望,
イノベーション教育学会第5回年次大会, 2017年11月. 金井純子, 日下一也, 井上貴文, 久保智裕, 安澤幹人, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
社会人基礎力育成に向けたプロジェクトマネジメント教育の効果,
平成29年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集, 355-358, 2017年9月. 金井純子, 森本恵美, 井上貴文, 佐々木千鶴, 北岡和義, 日下一也, 浮田浩行, 岡本敏弘, 岸本豊, 出口祥啓, 久保智裕, 安澤幹人, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
学生の自己能力評価アンケート調査からみたイノベーション教育の課題,
大学教育カンファレンスin徳島, 2016年12月. 日下一也, 大西舞, 塚越雅幸, 安澤幹人, 玉井伸岳, 芥川正武 :
地域地域における実際の問題を解決するにおける実際の問題を解決する企画設計実習の取り組み,
第63回工学教育研究講演会講演論文集, 2A06_1-2, 2015年9月.

(キーワード): 導入教育 / 企画設計 / グループ活動

日下一也, 山田祐馬 :
結晶粒径の異なる銅薄膜のヒロック形成と初期残留応力の関係,
第46回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 2012年7月. 日下一也, 富永喜久雄 :
金属-セラミックス傾斜機能薄膜の金属界面層の残留応力測定,
第45回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 111-114, 2011年7月. 日下一也, 草野剛嗣, 藤澤正一郎 :
設計と製作を分担したものづくり実習の試み,
平成22年度工学・工業教育研究講演会講演論文集, 182-183, 2010年8月.

(キーワード): ものづくり / グループ活動 / 設計 (design)

日下一也, 富永喜久雄 :
電源の異なる二種類のスパッタリング法で堆積させた2層の窒化アルミニウム薄膜の残留応力測定,
第44回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 105-109, 2010年7月. 小濱達也, 日下一也, 英崇夫 :
AIP法によって生成したTiN膜の残留応力の熱的特性,
日本材料学会第58期学術講演会, 2009年5月. 續木章三, 英崇夫, 日下一也 :
視覚的理解から操作・体得理解へ-4節リンク模型を用いた「機構学」での動機付け-,
平成20年度工学・工業教育研究講演会講演論文集, 38-39, 2008年8月. 日下一也, 高木均, 米倉大介, 長町拓夫, 英崇夫 :
設計-製作分離型ものづくり実習の試み,
平成20年度工学・工業教育研究講演会講演論文集, 66-67, 2008年8月.

(キーワード): 創成科目 / グループ活動 / コミュニケーション能力

篠原光彦, 英崇夫, 日下一也 :
繰り返し曲げ付加によるCu薄膜の残留応力評価,
第43回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 92-96, 2008年7月. 松英達也, 英崇夫, 日下一也, 坂田修身 :
熱処理を施したCrN薄膜の残留応力,
第43回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 97-101, 2008年7月. 磯田大和, 英崇夫, 日下一也 :
レーザピーニング処理されたアルミニウム合金に発生する圧縮残留応力のレーザ角度依存性,
第43回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 47-52, 2008年7月. 只重大樹, 英崇夫, 日下一也, 西田真之 :
粗大結晶粒を有するアルミニウム鋳造材の内部応力測定,
第43回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 1-6, 2008年7月. 續木章三, 英崇夫, 桐山聰, 日下一也 :
プロジェクト活動における教育的効果について,
平成19年度工学・工業教育研究講演会講演論文集, 144-145, 2007年8月. 角田卓巳, 英崇夫, 日下一也 :
スパッタリング生成した銅薄膜表面の高温その場表面観察,
第42回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 156-158, 2007年7月. 日下一也, 英崇夫, 桐本知幸 :
アルミニウム鋳造材の応力測定,
第42回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 93-97, 2007年7月. 日下一也, 草野剛嗣 :
導入型創成科目におけるエネルギーコンテストの試み,
平成18年度工学・工業教育研究講演会講演論文集, 642-643, 2006年7月.

(キーワード): 創成科目 / コンテスト / プレゼンテーション評価

松英達也, 英崇夫, 池内保一, 日下一也, 坂田修身 :
放射光による熱処理された硬質薄膜の残留応力測定,
第41回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 40-45, 2006年7月. 日下一也, 金子健太, 英崇夫, 坂田修身 :
放射光を用いた窒化アルミニウム-銅積層膜の熱応力その場測定,
第41回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 13-18, 2006年7月. 金子健太, 日下一也, 英崇夫, 坂田修身 :
放射光を用いたナノサイズ銅薄膜の熱応力その場測定,
第41回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 7-12, 2006年7月. 日下一也, 英崇夫, 三木一正 :
レーザピーニング処理した砲金の残留応力のレーザ焦点位置および操作速度依存性,
第40回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 107-112, 2005年9月. 桐山聰, 日下一也, 黒岩眞吾, 原口雅宣, 英崇夫 :
学生自主プロジェクト活動実態に関する考察,
平成17年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 200-201, 2005年9月. 川崎泰, 清水郁夫, 旗谷充彦, 松原敏夫, 盛合敦, 日下一也, 英崇夫 :
中性子回折法によるSPS材料の強度特性評価,
第40回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 42-47, 2005年9月. 桐山聰, 日下一也, 英崇夫 :
創成学習開発センターにおける創造性教育の取り組み,
第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 332, 2005年9月. 高井秀哲, 英崇夫, 日下一也, 松英達也, 坂田修身 :
TiN薄膜熱応力その場測定,
日本材料学会四国支部第6期総会·学術講演会講演論文集, 45-46, 2005年4月. 佐伯好彦, 日下一也, 英崇夫 :
レーザピーニング処理したアルミニウム合金の残留応力分布とその評価,
日本材料学会四国支部第6期総会·学術講演会講演論文集, 43-44, 2005年4月. 金子健太, 日下一也, 英崇夫 :
放射光を用いたナノサイズアルミニウム薄膜の熱応力その場測定,
日本材料学会四国支部第6期総会·学術講演会講演論文集, 39-40, 2005年4月. 川崎泰, 旗谷充彦, 清水郁夫, 松原敏夫, 盛合敦, 英崇夫, 日下一也 :
中性子回折法による金属およびセラミックスのSPS焼結材の特性評価,
日本材料学会四国支部第6期総会·学術講演会講演論文集, 37-38, 2005年4月. 野田和宏, 旗谷充彦, 英崇夫, 日下一也, 大島浩二, 石田友幸, 新宮原正三, 松英達也, 坂田修身 :
極細Al配線のエレクトロマイグレーション誘起ひずみの測定,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 219-223, 2004年9月. 英崇夫, 日下一也, 新宮原正三, 野田和宏, 松英達也, 坂田修身 :
放射光を用いたナノサイズアルミニウム薄膜の熱応力その場測定,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 213-218, 2004年9月. 高井秀哲, 英崇夫, 日下一也, 松英達也, 坂田修身 :
窒化チタン薄膜の残留応力および表面特性,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 208-212, 2004年9月. 松英達也, 英崇夫, 池内保一, 日下一也, 坂田修身 :
熱処理によるSiO₂/Cu/TiN積層膜の残留応力変化,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 202-207, 2004年9月. 日下一也, 田中剛, 英崇夫 :
レーザーピーニング処理したアルミニウム合金の残留応力のレーザーパワーおよび走査速度依存性,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 141-146, 2004年9月. 旗谷充彦, 中川真, 松原敏夫, 盛合敦, 鈴木裕士, 皆川宣明, 森井幸生, 日下一也, 英崇夫 :
金属/セラミックス系傾斜機能材料の内部残留応力測定,
第39回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 93-97, 2004年9月. 日下一也, 英崇夫, 新宮原正三, 松英達也, 坂田修身, 野田和宏 :
ナノサイズアルミニウム薄膜の熱応力その場測定,
日本機械学会2004年度年次大会講演論文集, Vol.1, 2004年9月. 日下一也, 英崇夫, 野田和宏, 旗谷充彦, 新宮原正三, 松英達也, 坂田修身 :
放射光を用いたナノサイズアルミニウム薄膜の熱応力その場測定,
LSI配線における原子輸送·応力問題第10回研究会予稿集, 34-35, 2004年7月. 日下一也, 田中剛, 英崇夫 :
レーザーピーニング処理したアルミニウム合金の残留応力のレーザーパワー依存性,
第53期学術講演会講演論文集, 49-50, 2004年5月. 高井秀哲, 日下一也, 英崇夫, 松英達也, 坂田修身 :
ナノサイズ窒化チタン薄膜の残留応力測定および表面特性,
日本材料学会四国支部第5期総会·学術講演会講演論文集, 7-8, 2004年4月. 旗谷充彦, 野田和宏, 日下一也, 富永喜久雄, 英崇夫, 松英達也, 坂田修身 :
ナノサイズCu薄膜の残留応力測定,
日本材料学会四国支部第5期総会·学術講演会講演論文集, 5-6, 2004年4月. 旗谷充彦, 中川真, 松原敏夫, 盛合敦, 鈴木裕士, 皆川宣明, 森井幸生, 日下一也, 英崇夫 :
金属/セラミックス系傾斜機能材料の内部残留応力測定,
日本材料学会四国支部第5期総会·学術講演会講演論文集, 1-2, 2004年4月. 野田和宏, 英崇夫, 日下一也, 坂田修身, 佐藤俊樹, 松英達也 :
放射光およびX線を用いたTiN薄膜の残留応力測定および表面観察,
第47回日本学術会議材料研究連合講演会講演論文集, 303-304, 2003年10月. 旗谷充彦, 中川真, 松原敏夫, 盛合敦, 森井幸生, 日下一也, 英崇夫 :
Al-Al₂O₃系焼結複合材料の中性子回折法による内部残留応力分布評価,
第47回日本学術会議材料研究連合講演会講演論文集, 295-296, 2003年10月. 日下一也, 堀川敬太郎, 大山啓, 高木均 :
グループ活動における個人の成績評価, --- 創造実習における試み ---,
平成15年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 623-624, 2003年9月. 高木均, 日下一也, 英崇夫, 川上博 :
課題探求型授業「ルーツを探れ」の試み,
平成15年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 417-418, 2003年9月. 大山啓, 高木均, 日下一也, 堀川敬太郎 :
Lego Mindstormsを利用した創造的ものづくり教育とその効果,
平成15年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 455-458, 2003年9月. 日下一也, 堀川敬太郎, 大山啓, 高木均 :
グループ活動における個人の成績評価,
日本機械学会2003年度年次大会講演論文集, Vol.V, 203-204, 2003年8月. 高木均, 日下一也, 英崇夫 :
技術史教育「ルーツを探れ」の試みとその効果,
日本機械学会2003年度年次大会講演論文集, Vol.V, 181-182, 2003年8月. 大山啓, 高木均, 日下一也, 堀川敬太郎 :
Lego Mindstormsを用いた創造教育の実践,
日本機械学会2003年度年次大会講演論文集, Vol.V, 201-202, 2003年8月. 日下一也, 富永喜久雄, 英崇夫 :
GaNスパッタ膜の結晶配向性と内部応力の基盤温度依存性,
平成14年電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 186, 2002年10月. 英崇夫, 日下一也, 西田真之, 松英達也 :
シンクロトロン放射光によるTiN薄膜の結晶配向性と残留応力測定,
第38回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 93-98, 2002年9月. 西池誠人, 英崇夫, 日下一也 :
レーザーピーニング処理されたアルミニウム表面の評価,
第38回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 128-131, 2002年9月. 日下一也, 山内規義, 英崇夫, 富永喜久雄 :
高周波スパッタリング生成した単結晶窒化ガリウム膜の残留応力測定,
第38回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 41-46, 2002年9月. 英崇夫, 日下一也 :
卒業研究のプレゼンテーション評価,
平成14年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 199-202, 2002年7月. 日下一也, 大山啓, 堀川敬太郎, 高木均 :
Lego Mindstormsを使った創成型教育の実施と評価,
平成14年度工学·工業教育研究講演会講演論文集, 371-374, 2002年7月. 日下一也, 山内規義, 英崇夫, 富永喜久雄 :
スパッタリング生成した単結晶ガリウム膜の残留応力測定,
第51期学術講演会講演論文集, 235-236, 2002年5月. 西池誠人, 英崇夫, 日下一也 :
レーザーピーニング処理した炭素鋼の残留応力測定,
第51期学術講演会講演論文集, 225-226, 2002年5月. 富永喜久雄, 喜久間拓也, 日下一也, 英崇夫 :
ZrO₂膜作製における高速酸素発生とZrターゲット面酸化機構モデル,
第49回応用物理学関係連合講演会, Vol.2, 635, 2002年3月. 富永喜久雄, 喜久間拓也, 日下一也, 英崇夫, 向井孝志 :
プレーナマグネトロンスパッタリング法によるサファイヤ基板上へのGaN膜の作製,
第49回応用物理学関係連合講演会, Vol.2, 597, 2002年3月. 日下一也, 古谷公平, 喜久間拓也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
スパッタリングGaN薄膜の結晶配向性および残留応力のプラズマ防止網の効果,
第37回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 175-179, 2001年9月. 日下一也, 谷口大輔, 英崇夫, 富永喜久雄 :
直流2極および高周波スパッタリング生成したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力,
第37回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 170-174, 2001年9月. 西池誠人, 英崇夫, 日下一也 :
レーザーピーニング処理したアルミニウム表面の残留応力評価,
第50期学術講演会講演論文集, 405-406, 2001年5月. 日下一也, 英崇夫 :
AIP法で作製した窒化クロム膜の優先配向性と残留応力評価,
第50期学術講演会講演論文集, 401-402, 2001年5月. 富永喜久雄, 喜久間拓也, 古谷公平, 日下一也, 英崇夫, 向井孝志 :
プレーナマグネトロンスパッタリング法によるGaN膜の作製,
平成12年電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 188, 2000年10月. 日下一也, 満村宏典, 古谷公平, 英崇夫, 酒井士郎 :
単結晶GaN薄膜の残留応力測定,
第36回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 291-295, 2000年9月. 英崇夫, 森口忠和, 日下一也, 松英達也 :
アルミニウム基材へのTiN厚膜の作成とその摩耗特性,
第36回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 54-58, 2000年9月. 谷口大輔, 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
AlNスパッタリング膜の結晶配向性および残留応力の放電電力依存性,
第35回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 115-119, 1999年9月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
直流スパッタAlN膜の結晶配向性および残留応力の膜厚依存性,
第35回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 109-114, 1999年9月. 英崇夫, 日下一也, 細田祐吉, 富永喜久雄 :
対向ターゲット式スパッタリング法により生成したZnO薄膜の残留応力測定,
第34回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 141-145, 1998年7月. 三木靖浩, 谷口正, 日下一也, 英崇夫, 米谷栄治 :
アークイオンプレーティング法によるアルミニウム基板へのTiN膜の形成とその機械的特性,
第34回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 49-54, 1998年7月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
AlN薄膜のc軸配向性と残留応力の外部磁場依存性,
第33回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 66-71, 1997年7月. 細田祐吉, 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて作製したZnO膜の残留応力測定,
第33回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 61-65, 1997年7月. 英崇夫, 日下一也, 花木英司 :
Al膜の熱応力の保護膜による影響,
第33回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 44-49, 1997年7月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄, 阿尾高広 :
交替式スパッタリング装置を用いて生成したAlN膜の残留応力測定,
第32回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 238-243, 1996年7月. 英崇夫, 西田真之, 日下一也 :
レーザ溶射膜の残留応力のX線的測定,
第32回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 155-160, 1996年7月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
マグネトロンスパッタリング法で生成したAlN膜のプラズマ防止網の効果,
第31回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 135-140, 1995年7月. 日下一也, 花木英司, 西田真之, 猪子富久治, 英崇夫 :
熱酸化シリコン基板上に蒸着したAl膜の熱処理による残留応力の変化,
第31回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 129-134, 1995年7月. 日下一也, 太田勝之, 布川清一, 英崇夫, 猪子富久治 :
Al薄膜の残留応力の熱処理による変化,
日本機械学会·材料力学部門講演会論文集, Vol.B, No.940-37, 318-319, 1994年10月. 英崇夫, 日下一也 :
{111}配向膜のX線的応力解析,
日本機械学会·材料力学部門講演会論文集, Vol.B, No.940-37, 316-317, 1994年10月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
アンバランスドターゲットを用いたプレーナマグネトロンスパッタリング装置で作製したAlN膜の残留応力の窒素ガス圧依存性,
第30回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 75-80, 1994年7月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
プレーナマグネトロンスパッタリング生成したAlN膜の結晶配向性と残留応力の窒素ガス圧依存性,
第43期学術講演会論文集, 151-152, 1994年5月. 日下一也, 英崇夫, 富永喜久雄 :
プレーナマグネトロンスパッタリング生成によるAlN膜の結晶配向性と残留応力のプラズマ汚染の影響,
第29回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 63-68, 1993年7月. 英崇夫, 富永喜久雄, 藤原晴夫, 日下一也 :
スパッタリング生成によるAlN膜の残留応力の基板温度依存性,
第28回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 93-98, 1992年7月.

研究会・報告書

藤澤正一郎, 日下一也, 北岡和義, 織田聡, 金井純子, 寺田賢治 :
世界で活躍する『創新(イノベーション)人材』育成のための「創新教育センター」の概要,
電気学会研究会資料，制御研究会, Vol.CT-18, No.076, 27-30, 2018年3月.

(要約): グローバル化が急速に進展する現代社会において，大学にはその変化に対応できる人材の育成が求められている．それを解決するにはイノベーションを創出できる人材の育成が早急に必要である．イノベーション人材の輩出を強化するために，全学的なイノベーション教育体制を構築し，イノベーションを創出できる人材育成を目的として，イノベーション教育に関連する学内資源を集約・再配分した「創新教育センター」を設置した．
(キーワード): 創新教育 / デザイン思考 / 社会実装 (social implementation)

金井純子, 井上貴文, 日下一也, 久保智裕, 安澤幹人, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
創成学習開発センターが支援するプロジェクトマネジメント基礎による創造性教育,
教育シンポジウム2017, 2017年3月. 金井純子, 森本恵美, 井上貴文, 丹羽実輝, 佐々木千鶴, 日下一也, 浮田浩行, 岸本豊, 出口祥啓, 久保智裕, 安澤幹人, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
ものづくり教育による大学生の能力向上,
電気学会研究会資料制御研究会, No.CT-16-036, 93-95, 2016年3月.

(キーワード): ものづくり教育 / 能力向上

金井純子, 森本恵美, 井上貴文, 丹羽実輝, 佐々木千鶴, 日下一也, 浮田浩行, 岸本豊, 出口祥啓, 久保智裕, 安澤幹人, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
徳島大学創成学習開発センターが支援する自主プロジェクト演習による創造性教育,
工学教育シンポジウム2016, 2016年3月. 日下一也, 貴島政親, 大西舞, 森本恵美, 塚越雅幸, 安澤幹人, 玉井伸岳, 芥川正武, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
導入科目「プロジェクトマネージメント基礎」における企画設計実習の取り組み,
電気学会研究会資料制御研究会, No.CT-14-87, 25-30, 2014年12月. 日下一也, 山田洋平, 大西舞, 塚越雅幸, 安澤幹人, 後藤優樹, 森本恵美, 芥川正武, 寺田賢治, 藤澤正一郎 :
導入科目「プロジェクトマネジメント基礎」の実施と評価,
電気学会研究会資料制御研究会, Vol.CT-14, No.15, 11-16, 2014年4月.

(要約): We report about the introductory subject "Project Management Fundamentals". The student will get a basic ability to work with diverse peoples in the community or workplace, through the planning and practice of a project to accomplish the task. In addition, the student will obtain project management skills required to design and implement the project. This year's theme was "the development of new products to eliminate the inconvenience for you". The students worked on the development of new products in a team as a project. We evaluated the individual and team by using the project notes.
(キーワード): 導入科目 / 創成科目 / プロジェクト / プロジェクト管理 (project management) / グループ活動 / 評価 (evaluation)

日下一也 :
第6回残留応力に関する国際会議(ICRS-6)に出席して,
材料, Vol.49, No.11, 1255, 2000年11月. 桐山聰, 日下一也, 英崇夫 :
動きはじめた創成学習―徳島大学創成学習開発センターの活動,
大学教育研究ジャーナル(徳島大学), No.2, 95-106, 徳島, 2005年3月.

(徳島大学機関リポジトリ): ● Metadata: 82381

(徳島大学機関リポジトリ: 82381)

特許: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
作品: 研究者総覧に該当データはありませんでした。
補助金・競争的資金: 高いき裂進展抑制効果を発現する耐エロージョン性Cr/CrN多層コーティング膜の開発 (研究課題/領域番号: 23K03576 )
Cr/CrN多層コーティング膜を利用した耐エロージョン材料の開発 (研究課題/領域番号: 20K04160 )
ミクロな視点から覗く結晶界面の変形拘束 (研究課題/領域番号: 21560095 )
微小領域にレーザピーニング処理したアルミニウム合金の内部応力評価 (研究課題/領域番号: 17760085 )
ナノサイズ薄膜の強度支配因子は何か? (研究課題/領域番号: 17560071 )
X線およびシンクロトロン放射光による薄膜の高温挙動その場観察 (研究課題/領域番号: 14550081 )
スパッタリング窒化物半導体薄膜の作製とX線回折を用いた特性評価 (研究課題/領域番号: 11750081 )
薄膜および配線構造体の内部応力と原子輸送 (研究課題/領域番号: 10650092 )
研究者番号（70274256）による検索

その他: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年12月20日更新

専門分野・研究分野: X線応力測定 (X-ray Stress Measurement)
所属学会・所属協会: 日本放射光学会
日本材料学会
日本機械学会
American Vacuum Society
表面技術協会
中国·四国地区-日本工学教育協会
委員歴・役員歴: 日本材料学会 (X線材料強度部門委員会幹事 [1999年5月〜2018年3月], 企画事業委員会委員 [2001年2月〜2005年4月], 四国支部会計幹事 [2003年4月〜2004年4月], 編集委員 [2009年5月〜2017年5月], 四国支部会計幹事 [2013年4月〜2014年4月])
受賞: 1994年5月, 日本材料学会論文賞 (日本材料学会)
2005年9月, 日本工学教育協会賞「論文·論説賞」 (社団法人日本工学教育協会)
2011年6月, 四国地域特別発表賞 (知的財産シンポジウム in Tokushima 2011)
2016年2月, 日本材料学会X線材料強度部門委員会業績賞 (日本材料学会)
2022年8月, 2022年度中国・四国工学教育協会賞 (中国・四国工学教育協会)
2022年8月, 中国・四国工学教育協会賞 (中国・四国工学教育協会)
活動: 研究者総覧に該当データはありませんでした。

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2024年12月15日更新

2024年12月14日更新

Ｊグローバル

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氏名（漢字）: 日下一也
氏名（フリガナ）: クサカカズヤ
氏名（英字）: Kusaka Kazuya
所属機関: 徳島大学助手

リサーチマップ

researchmap最終確認日: 2024/12/15 01:30
氏名（漢字）: 日下一也
氏名（フリガナ）: クサカカズヤ
氏名（英字）: Kusaka Kazuya
プロフィール: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
登録日時: 2009/8/21 00:00
更新日時: 2022/9/13 06:05
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性別: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
没年月日: リサーチマップAPIで取得できませんでした。
所属ID: 0344005002
所属: 徳島大学
部署: 工学部機械工学科
職名: 助手
学位: 修士(工学)
学位授与機関: 徳島大学
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研究分野
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学歴
委員歴
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2024年12月14日更新

研究者番号: 70274256

所属（現在）: 2024/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 講師

所属（過去の研究課題 情報に基づく）*注記: 2020/4/1 – 2023/4/1 : 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 講師
2010/4/1 – 2011/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 講師
2009/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 助教
2006/4/1 : 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 助手
2006/4/1 : 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 助手
2005/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助手
2002/4/1 – 2003/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助手
1998/4/1 – 2000/4/1 : 徳島大学, 工学部, 助手

審査区分/研究分野

研究代表者

工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
理工系 / 工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学

研究代表者以外

理工系 / 工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
工学 / 機械工学 / 機械材料・材料力学
小区分18010:材料力学および機械材料関連

キーワード

研究代表者

窒化物半導体 / 窒化アルミニウム / 窒化ガリウム / アパッタリング / X線回折 / c軸配向 / 残留応力 / ガラス基板 / スパッタリング / 薄膜 / レーザピーニング / 内部応力 / X繰回折 / 表面観察 / レーザパワー密度 / カバレージ / 入射X線角度 / 微小領域 / レーザーピーニング / 圧縮残留応力 / アルミニウム合金

研究代表者以外

銅双結晶 / アルミニウム3重結晶 / 結晶粒界 / 微視的残留応力 / 放射光応力測定 / 中性子応力測定 / X線応力測定 / 単結晶応力測定 / アルミニウム / 3重結晶 / 双結晶変形 / 変形拘束 / 薄膜 / 内部応力 / 熱応力 / その場観察 / 表面形態 / ストレスマイグレーション / 優先方位 / Cu膜 / 熱サイクル / ストレスマグレーション / Thin film / Internal stress / Thermal stress / In-situ observation / Surface morphology / Stress migration / Preferred orientation / X-ray stress measurement / X線測定 / 残留応力 / シンクロトロン放射光 / Al配線 / エレクトロマイグレーション / Cu薄膜 / 高温その場測定 / X-ray measurement / Residual stress / Synchrotron radiations / ナノサイズ / Al膜 / 熱サイクル試験 / Al薄膜 / 保護膜 / Nano-size / Al film / Cu film / Thermal cycle test / 多層膜 / エロージョン / アークイオンプレーティング / 膜厚比 / アークイオンプレティング

研究課題研究成果共同研究者

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